[发明专利]基板保持装置及其制造方法有效
申请号: | 201710384857.1 | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN107437524B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 岩渕淳寿;菊地真哉 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B23P13/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种基板保持装置,该基板保持装置包括:平板状的基体,其具有在该基体的上表面开口的通气通路;以及多个凸部,该多个凸部自所述基体的上表面突出形成,其特征在于,
所述多个凸部具有第1凸部和第2凸部,所述第1凸部的至少上部为截头圆锥状,所述第1凸部的呈截头圆锥状的部分的底角为70°以上且85°以下,所述第2凸部的底角小于所述第1凸部的底角,所述第2凸部的基端部的截面积大于所述第1凸部的基端部的截面积,
所述第2凸部形成在所述通气通路的周围。
2.根据权利要求1所述的基板保持装置,其特征在于,
所述凸部的高度相对于基板与所述凸部之间的接触面的最大宽度的比率为1以上,所述基板与所述凸部之间的接触面积的总和相对于所述基板的面积的比率为0.30%以下,相接近的所述凸部之间的中心间隔为3.0mm以下。
3.一种基板保持装置的制造方法,其特征在于,
利用激光加工在平板状的基体的上表面形成至少上部呈截头圆锥状的多个凸部,所述平板状的基体具有在该基体的上表面开口的通气通路,该多个凸部中的至少一部分凸部是至少底角为70°以上且85°以下的第1凸部,所述多个凸部中的至少另一部分凸部是第2凸部,所述第2凸部围绕所述通气通路,所述第2凸部的底角小于所述第1凸部的底角,所述第2凸部的基端部的截面积大于所述第1凸部的基端部的截面积。
4.根据权利要求3所述的基板保持装置的制造方法,其特征在于,
利用喷射加工在基体的上表面形成底角为45°以上且70°以下的多个截头圆锥状的凸状部,
利用激光加工在所述多个截头圆锥状的凸状部的上部形成底角为70°以上且85°以下的截头圆锥状,从而形成所述第1凸部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造