[发明专利]基板保持装置及其制造方法有效
申请号: | 201710384857.1 | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN107437524B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 岩渕淳寿;菊地真哉 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B23P13/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 装置 及其 制造 方法 | ||
本发明提供基板保持装置及其制造方法。该基板保持装置即使研磨凸部的顶部,也能够在不使加工太过困难化的前提下抑制在凸部与基板之间存在的微粒的可能性升高。基板保持装置(100)包括:平板状的基体(10),其具有在该基体(10)的上表面开口的通气通路(11);以及多个凸部(20),该多个凸部(20)自基体(10)的上表面突出形成。凸部(20)的至少上部为截头圆锥状,凸部(20)的呈截头圆锥状的部分的底角为70°以上且85°以下。
技术领域
本发明涉及将半导体晶圆等的基板吸附并保持于基体的基板保持装置及其制造方法。
背景技术
以往,在半导体制造系统等中,为了保持基板,使用了具有以下这样的基体的基板保持装置,即,在基体的上表面形成用于支承基板的许多凸部(销),且在基体的上表面设有与真空抽吸装置连接的通气通路的开口。凸部利用喷射加工而形成,由于该制造过程,凸部不可避免地成为底角为45°左右的截头圆锥状,无法形成圆柱形状的凸部(例如参照专利文献1)。
若在这样的凸部与基板之间存在微粒,则在基板上会产生局部的隆起,而使基板的表面精度恶化。近年,半导体的微细化以及高密度化逐渐推进,若基板的表面精度恶化,则例如曝光时的焦点没对准而使曝光图案产生模糊,由于形成于基板的电路图案短路等,而产生成品率下降的问题。
另外,提案有通过在凸部的顶面配置槽,降低与基板之间的接触面积,从而减小微粒夹入的发生频率的方法(例如参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开平10-242255号公报
专利文献2:日本特开2012-009720号公报
发明内容
然而,若降低凸部与基板之间的接触面积,则作为与基板接触的接触部分的顶部变得容易磨损,导致表面粗糙度恶化。因此,对顶部进行研磨。但是,由于凸部是底角为45°左右的截头圆锥状,因此,在每次研磨顶部时,接触面积大幅增加,导致凸部与基板之间存在微粒的可能性升高。
另外,在凸部的顶面形成槽是非常困难的,不利于经济性。
于是,本发明的目的在于提供即使研磨凸部的顶部,也能够在不使加工太过困难化的前提下抑制在凸部与基板之间存在微粒的可能性升高的基板保持装置及其制造方法。
本发明为一种基板保持装置,该基板保持装置包括:平板状的基体,其具有在该基体的上表面开口的通气通路;以及多个凸部,该多个凸部自所述基体的上表面突出形成,该基板保持装置的特征在于,所述凸部的至少上部为截头圆锥状,所述凸部的呈截头圆锥状的部分的底角为70°以上且85°以下。
根据本发明的基板保持装置,凸部不是以往的底角为45°左右的平缓的截头圆锥状,而是底角为70°以上且85°以下的陡峭的截头圆锥状。因而,即使研磨顶部,也能够抑制凸部与基板之间的接触面积的增加,能够谋求降低微粒附着在研磨后的凸部顶面的可能性。
具有底角为70°以上且85°以下的陡峭的截头圆锥状的凸部能够利用激光加工而形成,相比于在凸部的顶面形成槽等,加工较容易。另外,在本发明中,截头圆锥状并不是数学上严格意义上的截头圆锥状,而是包含角部带有圆角的、侧周面存在凹凸等、整体呈大致截头圆锥状的形状在内的概念。另外,还包含在下部与上部之间具有台阶的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造