[发明专利]一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法在审
申请号: | 201710386505.X | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN107086215A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 陈永平 | 申请(专利权)人: | 厦门市东太耀光电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司44218 | 代理人: | 胡坚 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬高新区(翔*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 基于 正面 焊盘可共晶 封装 结构 方法 | ||
技术领域
本发明涉及LED领域,特别是一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法。
背景技术
现有的LED晶片结构一般通过金线与N极引脚连接,金线与LED晶片之间需要通过焊盘进行连接,然而由于晶片结构特别小,在晶片上设置焊盘非常麻烦,造成整个LED晶片制造工序繁琐,并且金线极细,制造困难,造成制造成本增加。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构,利用共晶焊接方式将LED晶片与金属片焊接,减少制造工序,提高加工效率,同时解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题,降低制造成本。
本发明采用的技术方案为:
一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构,包括LED芯片,LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层,LED芯片的反面设有第二金属导电层,一对第一金属导电层分别共晶焊接有第一金属片,两个第一金属片延伸至LED芯片外的同一端下方连接有第二金属片,第二金属片的厚度与整个LED芯片高度一致。
优选地,第一金属片和第二金属片上设有防氧化层。
优选地,第一金属片和第二金属片都为铜片。
本发明还提供一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法,可一次性形成多个LED元器件,减少加工工序,提高加工效率。
一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法,包括以下步骤:
1)选择一种正反面都具备共晶焊接能力的LED芯片,LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层,LED芯片反面设有第二金属导电层;
2)将一整块金属片蚀刻成型后做电镀防氧化表面处理形成多个芯片位置;
3)将LED芯片置于对应的芯片位置上,LED芯片正面的第一金属导电层贴合金属片;
4)对LED芯片和金属片加热进行共晶焊接;
5)对共晶焊接后的金属片进行划片以形成单个的LED元器件,使得每个LED元器件中LED芯片正面的一对第一金属导电层上对应两条平行的横向金属片,两个横向金属片的下方连接有纵向金属片,纵向金属片的厚度与LED芯片高度一致。
优选地,在步骤4)之前,在LED芯片反面以及裸露在LED芯片外的金属片贴上高温胶膜;同时在步骤4)之后,去除高温胶膜。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:本发明提供一种基于正面焊盘可共晶的LED封装结构及其方法,采用共晶焊接方式将两个第一金属片分别焊接LED芯片正面上的第一金属导电层上,两个第一金属片的下方之间连接有与LED芯片高度一致的第二金属片,利用第二金属片以及LED芯片反面的第二金属导电层作为电极,解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题,降低制造成本,另外通过该封装方法,可一次性形成多个LED元器件,减少制造工序,提高加工效率。
附图说明
图1为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构的俯视示意图;
图2为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构的侧视示意图;
图3为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图一;
图4为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图二;
图5为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图三;
图6为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图四;
图7为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图五;
图8为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图六;
图9为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图七;
图10为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图八;
图11为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图九;
图12为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图十。
具体实施方式
根据附图对本发明提供的优选实施方式做具体说明。
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