[发明专利]有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置有效
申请号: | 201710387570.4 | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN108933154B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 文洁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 制备 方法 显示装置 | ||
本公开涉及一种有机发光二极管显示基板的制备方法及所制备的有机发光二极管显示基板。所述方法包括:在衬底基板上依次形成辅助电极和具有至少一个过孔的绝缘层;在所述绝缘层上形成有机发光层;向所述过孔中注入导电液体,所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接;以及在所述有机发光层上形成阴极层,所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接。根据本公开提供的OLED显示器件的制备方法,可以有效降低阴极层的电压降,有利于制备大尺寸显示屏。
技术领域
本公开的实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管(OLED)显示基板的制备方法及所制造的有机发光二极管显示基板及包括该显示基板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器件中,由于提高分辨率的和延长器件寿命的需求,OLED器件逐步由底发射方式转为顶发射。在大尺寸有源矩阵OLED(AMOLED)应用中,顶发射需要阴极有足够的光透过率,氧化物半导体材料具有较高的光透光率,经常被用作阴极的材料。但是,氧化物半导体材料方块电阻大,无法平衡阴极电压降(IR drop)和光透过率的问题,很难在大尺寸显示器上应用。
发明内容
本公开的目的之一是提供一种OLED显示基板的制备方法及其所制造的OLED显示基板,其能够降低阴极压降,因而适于制备大尺寸显示屏。
根据本公开的一个方面,提供一种OLED显示基板的制备方法,包括:
在衬底基板上依次形成辅助电极和具有至少一个过孔的绝缘层,在所述过孔中露出所述辅助电极的至少一部分;
在所述绝缘层上形成有机发光层;
向所述过孔中注入导电液体,所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接;以及
在所述有机发光层上形成阴极层,所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接。
根据本发明的一个实施例,所述有机发光层包括形成于过孔中的部分。
根据本发明的一个实施例,向所述过孔中注入导电液体包括:通过喷墨打印工艺向所述过孔中喷射导电液滴,以穿透所述有机发光层。
根据本发明的一个实施例,所述导电液滴的温度在50℃-300℃之间。
根据本发明的一个实施例,所述导电液滴的材料为合金,所述合金的熔点在50℃-300℃之间。
根据本发明的一个实施例,所述导电液滴的材料为焊料,所述焊料的熔点在50℃-300℃之间。
根据本发明的一个实施例,在所述衬底基板上形成导电层,所述辅助电极和所述导电层的图形通过一次构图工艺形成。
根据本发明的一个实施例,通过一次构图工艺形成所述辅助电极和栅线。
根据本发明的一个实施例,通过一次构图工艺形成所述辅助电极和数据线。
根据本发明的一个实施例,通过一次构图工艺形成辅助电极和像素电极。
根据本发明的一个实施例,所述绝缘层包括像素界定层,并且,通过一次构图工艺在所述像素界定层中形成用于限定像素单元的过孔和用于暴露所述辅助电极的所述过孔。
根据本发明的一个实施例,用于限定像素单元的过孔和用于暴露所述辅助电极的所述过孔在衬底基板上的正投影不重叠。
根据本发明的一个实施例,所述绝缘层包括像素界定层和平坦化层,并且,所述过孔穿透所述像素界定层和平坦化层。
根据本发明的一个实施例,所述绝缘层包括像素界定层、平坦化层、钝化层和栅极绝缘层,所述过孔穿透所述像素界定层、平坦化层、钝化层和栅极绝缘层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710387570.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板及其制作方法、显示装置
- 下一篇:有机发光显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的