[发明专利]芯片晶圆封装方法、微机电系统封装方法及微机电系统在审

专利信息
申请号: 201710392149.2 申请日: 2017-05-27
公开(公告)号: CN108928802A 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 黄玲玲 申请(专利权)人: 北京万应科技有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人: 黄姝;张伟杰
地址: 100195 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 管脚 有机树脂层 芯片 制作 晶圆 封装 重布线层 电连接 通孔 微机电系统 承载板 钝化层 塑封料 盲孔 绝缘层 晶圆级封装 绝缘层形成 扇出型封装 临时键合 位置去除 键合 埋置 扇出 凸块 圆片 连通 穿透 金属
【权利要求书】:

1.一种芯片晶圆封装方法,其特征在于,包括:

将芯片的正面与承载板进行临时键合;

将所述芯片埋置在有机树脂层内,得到埋置有芯片的圆片;

将所述承载板与所述圆片拆键合,并裸露出所述芯片上的管脚;

在所述芯片的正面制作一层绝缘层;

在所述管脚对应的位置去除所述绝缘层形成盲孔;

在所述有机树脂层的底部制作通过所述盲孔与所述管脚电连接的第一重布线层,制作覆盖所述第一重布线层的第一钝化层;

在所述有机树脂层的顶部制作穿透所述有机树脂层并与所述管脚连通的塑封料通孔;

在所述塑封料通孔内填镀与所述第一重布线层电连接的通孔金属,制作通过所述塑封料通孔内的通孔金属与所述第一重布线层电连接的第二重布线层,制作覆盖所述第二重布线层的第二钝化层;

在所述第一钝化层制作与所述管脚电连接的凸块,得到扇出封装完成的芯片晶圆。

2.如权利要求1所述的芯片晶圆封装方法,其特征在于,所述凸块设置在所述有机树脂层的投影范围内。

3.如权利要求1所述的芯片晶圆封装方法,其特征在于,所述芯片为专用集成电路芯片或者微机电系统芯片。

4.如权利要求3所述的芯片晶圆封装方法,其特征在于,所述芯片为微机电系统芯片,所述将所述芯片埋置在有机树脂层内,得到埋置有芯片的圆片,具体包括:

将所述微机电系统芯片埋置在有机树脂层内,并露出所述微机电系统芯片的功能区域,得到埋置有微机电系统芯片的圆片。

5.一种微机电系统封装方法,其特征在于,包括:

使用如权利要求1-2任一项所述的芯片晶圆封装方法对专用集成电路芯片进行扇出封装得到专用集成电路芯片晶圆,对微机电系统芯片进行扇入封装得到微机电系统芯片晶圆;

对所述专用集成电路芯片晶圆和所述微机电系统芯片晶圆进行微机电系统封装,得到包含有所述专用集成电路芯片晶圆以及所述微机电系统芯片晶圆的微机电系统级封装结构。

6.如权利要求5所述的微机电系统封装方法,其特征在于,所述对所述专用集成电路芯片晶圆和所述微机电系统芯片晶圆进行微机电系统封装,得到包含有所述专用集成电路芯片晶圆以及所述微机电系统芯片晶圆的微机电系统级封装结构,具体包括:

将完成扇出封装的专用集成电路芯片晶圆的正面和完成扇入封装的微机电系统芯片晶圆的正面通过晶圆级键合工艺完成组装互连;

在所述专用集成电路芯片晶圆的背面制作第一焊球阵列球,并对所述专用集成电路芯片晶圆和所述微机电系统芯片晶圆进行划切,得到形成包含有微机电系统芯片晶圆以及专用集成电路芯片晶圆的微机电系统级封装结构。

7.一种微机电系统封装方法,其特征在于,包括:

使用如权利要求1~4任一所述的芯片晶圆封装方法对微机电系统芯片进行扇出封装得到微机电系统芯片晶圆,对专用集成电路芯片进行扇入封装得到专用集成电路芯片晶圆;

对所述微机电系统芯片晶圆和所述专用集成电路芯片晶圆进行微机电系统封装,得到包含有所述微机电系统芯片晶圆以及所述专用集成电路芯片晶圆的微机电系统级封装结构。

8.如权利要求7所述的微机电系统封装方法,其特征在于,所述对所述微机电系统芯片晶圆和所述专用集成电路芯片晶圆进行微机电系统封装,得到包含有所述微机电系统芯片晶圆以及所述专用集成电路芯片晶圆的微机电系统级封装结构,具体包括:

将完成扇出封装的微机电系统芯片晶圆的正面和完成扇入封装的专用集成电路芯片晶圆的正面通过晶圆级键合工艺完成组装互连;

在所述微机电系统芯片晶圆的背面通过蚀刻工艺将其所要求的微机电系统物理结构进行释放;

通过晶圆级键合工艺对所述微机电系统芯片晶圆进行盖帽键合;

在所述微机电系统芯片晶圆的背面制作第二焊球阵列球,并对所述微机电系统芯片晶圆和所述专用集成电路芯片晶圆进行划切,得到形成包含有所述微机电系统芯片晶圆以及所述专用集成电路芯片晶圆的微机电系统级封装结构。

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