[发明专利]芯片晶圆封装方法、微机电系统封装方法及微机电系统在审
申请号: | 201710392149.2 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN108928802A | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 黄玲玲 | 申请(专利权)人: | 北京万应科技有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 黄姝;张伟杰 |
地址: | 100195 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管脚 有机树脂层 芯片 制作 晶圆 封装 重布线层 电连接 通孔 微机电系统 承载板 钝化层 塑封料 盲孔 绝缘层 晶圆级封装 绝缘层形成 扇出型封装 临时键合 位置去除 键合 埋置 扇出 凸块 圆片 连通 穿透 金属 | ||
本发明公开了一种芯片晶圆封装方法,包括:将芯片的正面与承载板进行临时键合;将芯片埋置在有机树脂层内;将承载板与圆片拆键合,并裸露出芯片上的管脚;制作一层绝缘层;在管脚对应的位置去除绝缘层形成盲孔;在有机树脂层的底部制作通过盲孔与管脚电连接的第一重布线层,制作第一钝化层;在有机树脂层的顶部制作穿透有机树脂层并与管脚连通的塑封料通孔;在塑封料通孔内填镀与第一重布线层电连接的通孔金属,制作第二重布线层,制作第二钝化层;制作与管脚电连接的凸块,得到扇出封装完成的芯片晶圆。本发明将MEMS芯片通过扇出型封装形式,使其尺寸能够和ASIC芯片晶圆实现晶圆级封装。
技术领域
本发明涉及微机电技术领域,尤其涉及一种芯片晶圆封装方法、微机电系统封装方法及微机电系统。
背景技术
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)芯片是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成芯片、接口、通信等于一体的微型芯片,其广泛应用于高新技术产业。
通常,会设计专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)芯片来驱动MEMS芯片,形成微机电系统。
然而,现有的MEMS芯片的大小与ASIC芯片的大小并不适配,导致其不能实现晶圆级封装,现有的封装形式多数还是采用的是传统的WB等封装,MEMS芯片与ASIC芯片的堆叠后通过WB方式实现其封装。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术无法实现MEMS芯片与ASIC芯片晶圆级封装的技术问题,提供一种芯片晶圆封装方法、微机电系统封装方法及微机电系统。
本发明的技术方案提供一种芯片晶圆封装方法,包括:
将芯片的正面与承载板进行临时键合;
将所述芯片埋置在有机树脂层内,得到埋置有芯片的圆片;
将所述承载板与所述圆片拆键合,并裸露出所述芯片上的管脚;
在所述芯片的正面制作一层绝缘层;
在所述管脚对应的位置去除所述绝缘层形成盲孔;
在所述有机树脂层的底部制作通过所述盲孔与所述管脚电连接的第一重布线层,制作覆盖所述第一重布线层的第一钝化层;
在所述有机树脂层的顶部制作穿透所述有机树脂层并与所述管脚连通的塑封料通孔;
在所述塑封料通孔内填镀与所述第一重布线层电连接的通孔金属,制作通过所述塑封料通孔内的通孔金属与所述第一重布线层电连接的第二重布线层,制作覆盖所述第二重布线层的第二钝化层;
在所述第一钝化层制作与所述管脚电连接的凸块,得到扇出封装完成的芯片晶圆。
进一步的,所述凸块设置在所述有机树脂层的投影范围内。
进一步的,所述芯片为专用集成电路芯片或者微机电系统芯片。
进一步的,所述芯片为微机电系统芯片,所述将所述芯片埋置在有机树脂层内,得到埋置有芯片的圆片,具体包括:
将所述微机电系统芯片埋置在所述有机树脂层内,并露出所述微机电系统芯片的功能区域,得到埋置有微机电系统芯片的圆片。
本发明提供一种微机电系统封装方法,包括:
使用如前所述的芯片晶圆封装方法对专用集成电路芯片进行扇出封装得到专用集成电路芯片晶圆,对微机电系统芯片进行扇入封装得到微机电系统芯片晶圆;
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