[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种芯片接合薄膜，其特征在于，

含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，

热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下，

在热固化前的状态下于-15℃下的断裂伸长率为20％以下，

所述填料为二氧化硅填料，所述热塑性树脂为具有环氧基的丙烯酸类聚合物。

2.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，将热固化前的玻璃化转变温度设为T₀、将热固化后的玻璃化转变温度设为T₁时，满足下述式1,

式1 T₀T₁T₀+20。

3.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，包含着色剂。

4.根据权利要求3所述的芯片接合薄膜，其特征在于，所述着色剂为染料。

5.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，将所述填料的平均粒径设为R、将所述芯片接合薄膜的厚度设为T时，满足下述式2,

式2 10T/R。

6.一种切割芯片接合薄膜，其特征在于，具备切割片和权利要求1～5中的任一项所述的芯片接合薄膜。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

工序A，将半导体晶圆贴附在具备切割片和芯片接合薄膜的切割芯片接合薄膜上；

工序B，使所述切割芯片接合薄膜扩展，至少使所述芯片接合薄膜断裂，得到带芯片接合薄膜的芯片；

工序C，拾取所述带芯片接合薄膜的芯片；

工序D，借助芯片接合薄膜将拾取的所述带芯片接合薄膜的芯片芯片接合到被粘物上；以及，

工序E，对所述带芯片接合薄膜的芯片进行引线键合，

所述芯片接合薄膜含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，且热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下，在热固化前的状态下于-15℃下的断裂伸长率为20％以下，所述填料为二氧化硅填料，所述热塑性树脂为具有环氧基的丙烯酸类聚合物。