[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。

技术领域

本发明涉及芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，芯片接合薄膜在半导体装置的制造中使用。

在使用了芯片接合薄膜的半导体装置的制造工序中，有将芯片层叠(堆叠)为多层的方法。在这样的情况下，存在芯片薄型化的强烈要求(例如参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-218571号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，若将形成有聚酰亚胺等的钝化膜的晶圆磨削得薄，则晶圆会大幅翘曲，切割后的芯片会翘曲。若将该翘曲的芯片接合到基板、引线框等进行堆叠，则存在其翘曲残留，芯片的端部翘起的问题。

本发明是鉴于前述问题而进行的，其目的在于，提供能抑制翘曲大的极薄芯片的翘曲、良好地进行多层层叠的芯片接合薄膜。

另外，还在于提供具备该芯片接合薄膜的切割芯片接合薄膜。

另外，还在于提供使用该切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本申请发明人等发现，通过采用下述的构成，能够解决前述的问题，从而完成了本发明。

即，本发明的芯片接合薄膜的特征在于，

含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、

热塑性树脂、以及

酚醛树脂，

热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。

根据前述构成，由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为0.3MPa以上，因此，即使芯片翘曲了，在芯片接合后也能够将该翘曲抑制住。

另外，由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为30MPa以下，因此向被粘物的嵌入性变良好，能够抑制被粘物与芯片接合薄膜之间的空隙(void)。

另外，由于使用平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料作为填料，因此能够使芯片接合薄膜薄型化。另外，由于含有酚醛树脂，因此可靠性优异。另外，由于含有热塑性树脂，因此能够维持作为薄膜的形状。

在前述构成中，优选的是，将热固化前的玻璃化转变温度设为T₀、将热固化后的玻璃化转变温度设为T₁时，满足下述式1。

式1 T₀T₁T₀+20

若满足上述式1，则热固化前的玻璃化转变温度与热固化后的玻璃化转变温度的差小，可以说在热固化前后物性的变化小。因此，在施加热历程后向被粘物的嵌入性也良好。

在前述构成中，前述填料优选为二氧化硅填料。

若前述填料为二氧化硅填料，则比其它无机填料成本低，也容易获得。

在前述构成中，前述热塑性树脂优选为具有环氧基的丙烯酸类聚合物。