[发明专利]一种薄膜晶体管及其控制方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括:

基板；

栅极，设置于所述基板上；

栅极绝缘层，覆盖于所述栅极和所述基板的表面；

有源层，设置于所述栅极绝缘层上；

源极与漏极，设置于所述有源层上，所述源极包括两个源极电极，所述漏极包括两个漏极电极，所述两个漏极电极平行设置在所述两个源极电极之间，所述源极电极与相邻的漏极电极之间形成主沟道，所述两个漏极电极之间形成副沟道；所述主沟道被配置为当其出现短路时，与其对应的漏极电极被切断，所述被切断的漏极电极作为出现短路的所述主沟道对应的源极电极的一部分，两个漏极电极之间形成的副沟道作为新主沟道。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述两个源极电极与所述两个漏极电极之间形成的两个主沟道的宽长比相同；

所述副沟道的宽长比与任一所述主沟道的宽长比相同，切断后的薄膜晶体管的宽长比保持不变。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，任一所述主沟道的宽长比与所述副沟道的宽长比之和大于另一主沟道的宽长比。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极在所述栅极上的正投影与所述栅极部分重合。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极在所述栅极上的正投影与所述栅极完全重合。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述漏极为U型结构或双I结构；

所述源极为U型结构。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种如权利要求1～6任一项所述的薄膜晶体管的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

检测所述薄膜晶体管的主沟道是否发生短路；

当检测到所述薄膜晶体管的某一主沟道发生短路时，切断出现短路的主沟道对应的漏极电极，将所述被切断的漏极电极作为出现短路的所述主沟道对应的源极电极的一部分使用，将两个漏极电极之间形成的副沟道作为新主沟道使用。

10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，任一所述主沟道的宽长比与所述副沟道的宽长比之和大于另一主沟道的宽长比。