[发明专利]一种薄膜晶体管及其控制方法

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及其控制方法。所述薄膜晶体管包括:基板；栅极，设置于基板上；栅极绝缘层，覆盖于栅极和基板的表面；有源层，设置于栅极绝缘层上；源极与漏极，设置于有源层上，源极包括为两个源极电极，漏极包括两个漏极电极，两个漏极电极平行设置在两个源极电极之间，源极电极与相邻的漏极电极之间形成主沟道，两个漏极电极之间形成副沟道；当任一主沟道出现短路时，切断出现短路的主沟道对应的漏极电极，切断的漏极电极作为出现短路的主沟道对应的源极电极的一部分使用，将两个漏极电极之间形成的副沟道作为新主沟道使用，控制操作对薄膜晶体管的性能影响不大，控制操作后薄膜晶体管对应的像素点仍可以使用。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其控制方法。

背景技术

薄膜晶体管型液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-LiquidCrystalDisplay)主要由彩膜基板、阵列基板以及位于上述两基板之间的液晶层所构成，通过控制阵列基板上的像素电极和彩膜基板上的公共电极之间的电场，来控制液晶层中液晶分子的偏转，达到所需的显示效果。TFT-LCD因具有亮度高、对比度高、功耗低、寿命长和重量小等优点而被广泛使用。

阵列基板上形成有多个薄膜晶体管(TFT)，液晶层中每一液晶分子都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。TFT由栅极、源极和漏极等结构组成，当源极和漏极之间的沟道间产生电流时，电流的存在使得源极和漏极导通，TFT开始工作。

但是，在TFT的制作过程中，常会因为沟道回刻蚀工艺残留以及漏极与源极沟道工艺残留等问题，薄膜晶体管在制作完成后，沟道中仍有一些金属微粒或者导电污染物的残留，导电残留物的存在使得源极和漏极间形成导通桥，导致TFT不良，无法正常使用。

基于TFT中沟道的不同结构，可以将TFT分为多种，如U型沟道TFT，而U型沟道TFT又可以分为多种，如图1所示的单U型沟道TFT和图2所示的双U型沟道TFT，图2所示的双U型沟道TFT是图1所示的单U型沟道TFT的组合。图1所示的单U型沟道TFT中，a为漏极，b为源极，源极b包括第一源极电极b1和第二源极电极b2，漏极a与第一源极电极b1之间形成一主沟道，漏极a与第二源极电极b2之间形成另一主沟道。

不良TFT的维修结果，直接影响最终显示器的判级和TFT基板生产的良率。针对上述U型沟道TFT，当TFT中的一个U型沟道出现不良时，现有的处理方法是切断该不良沟道对应的源极电极与数据线的连接，停止该TFT工作，将该TFT控制的像素点灭掉，将该像素点做成暗点，不参与显示，但是当不良像素点数目较多时，会大大降低维修后的TFT基板的良率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管，当任一主沟道出现短路时，切断出现短路的主沟道对应的漏极电极，控制操作对薄膜晶体管的性能影响不大，控制操作后薄膜晶体管对应的像素点仍可以使用，本方法有效提高了维修后的TFT基板的良率。

一方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:

基板；

栅极，设置于所述基板上；

栅极绝缘层，覆盖于所述栅极和所述基板的表面；

有源层，设置于所述栅极绝缘层上；

源极与漏极，设置于所述有源层上，所述源极包括两个源极电极，所述漏极包括两个漏极电极，所述两个漏极电极平行设置在所述两个源极电极之间，所述源极电极与相邻的漏极电极之间形成主沟道，所述两个漏极电极之间形成副沟道；所述主沟道被配置为当其出现短路时，与其对应的漏极电极被切断。

进一步地，所述两个源极电极与所述两个漏极电极之间形成的两个主沟道的宽长比相同；

所述副沟道的宽长比与任一所述主沟道的宽长比相同，切断后的薄膜晶体管的宽长比保持不变。