[发明专利]一种提高重布线层表面均匀性的方法有效
| 申请号： | 201710395647.2 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN108962774B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡凤萍;令狐新杰;刘贵娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 布线 表面 均匀 方法 | ||
1.一种提高蚀刻后重布线层厚度均匀性、降低表面粗糙度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体晶圆；
在所述半导体晶圆上依次形成种子层和重布线层，所述重布线层包括铜；
使用表面钝化剂对所述重布线层的表面进行钝化处理；
刻蚀去除未被所述重布线层覆盖的所述种子层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重布线层采用电镀工艺形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面钝化剂包括氢氟酸或缓冲氧化物蚀刻剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述种子层采用溅射工艺形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述种子层包括铜层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述种子层还包括位于所述晶圆和所述铜层之间的钛层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体晶圆上形成重布线层的步骤包括在所述种子层上形成图案化的光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜进行电镀工艺，以在所述种子层上的预定区域形成所述重布线层，之后去除所述光刻胶层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述钝化处理步骤之后，在去除所述光刻胶层之前，所述方法还包括使用洗边液对位于所述晶圆边缘的导电管脚区域进行洗边的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述洗边步骤去除所述导电管脚区域的经过所述钝化处理的种子层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
