[发明专利]一种提高重布线层表面均匀性的方法

说明书

本发明提供一种提高重布线层表面均匀性的方法，所述方法包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆上依次形成种子层和重布线层；对所述重布线层的表面进行钝化处理；刻蚀去除未被所述重布线层覆盖的所述种子层。采用本发明的方法，对重布线层表面进行钝化处理，使重布线层表面发生钝化，使得重布线层与种子层在蚀刻工艺中的蚀刻选择比降低，显著地减轻在蚀刻种子层的过程中对重布线层的蚀刻，从而提高了重布线层的厚度均匀性，并降低了蚀刻后重布线层表面的粗糙度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种提高重布线层表面均匀性的方法。

背景技术

在集成电路工艺中，半导体封装是指将晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。随着电子元件的小型化、轻量化及多功能化的需求日渐增加，导致半导体封装密度不断增加，因而必须缩小封装尺寸及封装时所占的面积。重布线层(RDL，Redistribution Layer)制程在封装中被广泛应用，其中电镀铜的RDL在凸块制程(Bumpprocess)中占据非常大的比重。但是由于电镀铜与溅射铜在晶体特性上存在差异，以及电镀铜表面自退火的机制，在蚀刻溅射铜之后会导致电镀RDL的厚度均匀性和表面粗糙程度变得比较差。而RDL厚度的不均匀和粗糙的表面对后续的制程(如在重布线层上形成焊垫、凸块或铜柱等)有着非常严重的影响，因此研究提高蚀刻后电镀铜的厚度均匀性和降低表面粗糙度的方法成为一个非常重要的课题。

目前的现有技术主要采用降低RDL电镀工艺中最后阶段的电镀速度从而提高RDL表面致密度，以及控制RDL工艺中由电镀到蚀刻的等待时间(Queue time，Q time)以减少自退火的时间，来减弱蚀刻溅射铜时对电镀铜的影响。但是无论是减慢电镀速度和严控等待时间，当出现产能提升或者单一蚀刻机台发生异常时都会出现严重产能不足和大面积的表面粗糙度增加的问题。

本发明的目的在于提供一种提高重布线层表面均匀性的方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种提高重布线层表面均匀性的方法，所述方法包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆上依次形成种子层和重布线层；对所述重布线层的表面进行钝化处理；刻蚀去除未被所述重布线层覆盖的所述种子层。

进一步，使用表面钝化剂对所述重布线层的表面进行钝化处理。

进一步，所述重布线层采用电镀工艺形成。

进一步，所述重布线层包括铜。

进一步，所述表面钝化剂包括铜表面钝化剂。

进一步，所述铜表面钝化剂包括氢氟酸或缓冲氧化物蚀刻剂。

进一步，所述种子层采用溅射工艺形成。

进一步，所述种子层包括铜层。

进一步，所述种子层还包括位于所述晶圆和所述铜层之间的钛层。

进一步，在所述半导体晶圆上形成重布线层的步骤包括在所述种子层上形成图案化的光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜进行电镀工艺，以在所述种子层上的预定区域形成所述重布线层，之后去除所述光刻胶层。

进一步，在所述钝化处理步骤之后，在去除所述光刻胶层之前，所述方法还包括使用洗边液对位于所述晶圆边缘的导电管脚区域进行洗边的步骤。

进一步，所述洗边步骤去除所述导电管脚区域的经过所述钝化处理的种子层。