[发明专利]基于集成电路的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

多个标准单元，包括第一标准单元和第二标准单元，所述多个标准单元中的每个标准单元包括基板，

其中，第一标准单元包括：

第一栅电极，设置在第一标准单元的基板上；

第二栅电极，设置在第一标准单元的基板上；

第三栅电极，设置在第一标准单元的基板上，第二栅电极设置在第一栅电极与第三栅电极之间；

第一接触件，设置在第一栅电极与第二栅电极之间，并连接以第一栅电极作为栅电极的晶体管和以第二栅电极作为栅电极的晶体管；

第二接触件，设置在第二栅电极与第三栅电极之间，并连接以第二栅电极作为栅电极的晶体管和以第三栅电极作为栅电极的晶体管；以及

第三接触件，设置在第一接触件、第二栅电极和第二接触件上，并被构造为电连接到第一接触件、第二栅电极和第二接触件，第三接触件接触第一接触件、第二栅电极和第二接触件，第三接触件被构造为与第一栅电极电隔离，

其中，第一标准单元或第二标准单元包括：

第四栅电极，设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上；

第五栅电极，设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上；

第六栅电极，设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上，第五栅电极设置在第四栅电极与第六栅电极之间；

第四接触件，设置在第四栅电极与第五栅电极之间，并连接以第四栅电极作为栅电极的晶体管和以第五栅电极作为栅电极的晶体管；

第五接触件，设置在第五栅电极与第六栅电极之间，并连接以第五栅电极作为栅电极的晶体管和以第六栅电极作为栅电极的晶体管；以及

第六接触件，设置在第四接触件、第五栅电极和第五接触件上，并被构造为电连接到第四接触件、第五栅电极和第五接触件，第六接触件接触第四接触件、第五栅电极和第五接触件，第六接触件被构造为与第四栅电极电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接触件的长度与第一接触件的长度相同，

第五接触件的长度与第四接触件的长度相同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接触件的长度与第一接触件的长度相同，

第五接触件的长度与第四接触件的长度不同。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接触件的长度与第一接触件的长度不同，

第五接触件的长度与第四接触件的长度不同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接触件的宽度与第一接触件的宽度相同，

第五接触件的宽度与第四接触件的宽度相同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接触件的宽度与第一接触件的宽度相同，

第五接触件的宽度与第四接触件的宽度不同。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二接触件的宽度与第一接触件的宽度不同，

第五接触件的宽度与第四接触件的宽度不同。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一标准单元包括第四栅电极、第五栅电极、第六栅电极、第四接触件、第五接触件和第六接触件，

第四栅电极是第一栅电极，

第五栅电极是第二栅电极，

第六栅电极是第三栅电极。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，第一标准单元的基板包括第一有源区和第二有源区，

第一接触件、第二接触件和第三接触件设置在第一有源区上，

第四接触件、第五接触件和第六接触件设置在第二有源区上。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第一标准单元还包括：切割区，设置在第一有源区与第二有源区之间，并被构造为使第二有源区上的第二栅电极与第一有源区上的第二栅电极电绝缘。