[发明专利]基于集成电路的半导体装置

说明书

提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。

本申请是申请日为2015年07月22日、申请号为201510434904.X、题为“集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库”的专利申请的分案申请。

技术领域

发明构思的示例实施例涉及一种包括至少一个单元的集成电路(IC)、一种基于所述IC的半导体装置和/或一种存储与所述至少一个单元有关的信息的标准单元库。

背景技术

随着晶体管的尺寸减小和半导体制造技术进一步发展，可将更多的晶体管集成在半导体装置中。例如，在各种应用中使用芯片上系统(SOC)，芯片上系统(SOC)是指将计算机或其他电子系统的所有组件集成到单个芯片中的集成电路(IC)。对应用的性能需求的增加会需要包括更多组件的半导体装置。

发明内容

根据发明构思的至少一个示例实施例，集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地设置；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并且通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。

根据发明构思的其他示例实施例，半导体装置可包括：基板，包括具有不同导电类型的第一有源区和第二有源区；多条导线，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地设置；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和位于第一有源区和第二有源区中的至少一个中的第一接触件上，并且通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。

根据发明构思的其他示例实施例，存储在非暂时性计算机可读存储介质中的标准单元库可包括与多个标准单元有关的信息。所述多个标准单元中的至少一个包括：第一有源区和第二有源区，具有不同的导电类型；多个鳍，在第一有源区和第二有源区中彼此平行地设置；多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行地设置，在所述多个鳍上方；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，通过电连接到所述至少一条导线和在第一有源区和第二有源区中的至少一个中的第一接触件而形成单个节点。

根据其他示例实施例，半导体装置可包括：基板，具有第一导电类型的第一有源区和具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二有源区；多个栅电极，沿第一方向延伸，从而所述多个栅电极沿第二方向彼此平行，第二方向与第一方向垂直；第一接触件，在所述多个栅电极的被跳过的栅电极的两侧中的相应的一侧处，被跳过的栅电极是所述多个栅电极中的电极连接到第一接触件的栅电极；以及第二接触件，电连接到被跳过的栅电极和在第一有源区中的第一接触件，从而第二接触件、所述至少一条导线和第一接触件在第一有源区中形成单个节点。

半导体装置可包括至少一个非对称栅极的集成电路(IC)，与在第一有源区中相比，非对称栅极的IC在第二有源区中包括更多数量的晶体管。

晶体管可为鳍式晶体管。

半导体装置还可包括在沿第一方向延伸的所述多个栅电极下方的沿第二方向延伸的多个鳍，从而所述多个鳍和所述多个栅电极与鳍式晶体管对应。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解发明构思的示例实施例，在附图中：

图1是示出根据示例实施例的集成电路(IC)的一部分的布局；