[发明专利]包含有机半导体层的有机发光二极管

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其包含阳极、透明阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与透明阴极之间，并且所述有机半导体层包含第一零价金属掺杂剂和第一基质化合物，其中所述第一基质化合物包含至少两个菲咯啉基；

其中所述第一零价金属掺杂剂选自：碱金属、碱土金属、稀土金属、3族过渡金属及其混合物；

其中所述有机半导体层具有100至500nm的厚度；并且

其中所述有机半导体层与所述透明阴极层直接接触。

2.根据权利要求1的有机发光二极管，其中所述第一基质化合物是式1的化合物

其中R¹至R⁷各自独立地选自：氢、取代或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的C₁至C₁₆烷基、取代或未取代的C₁至C₁₆烷氧基、羟基或羧基，和/或其中所述相应的R¹至R⁷的相邻基团彼此不键合或者彼此键合以形成环；

L¹是单键或选自：C₆至C₃₀亚芳基、C₅至C₃₀亚杂芳基、C₁至C₈亚烷基或C₁至C₈烷氧基亚烷基；

Ar¹是取代或未取代的C₆至C₁₈芳基或吡啶基；并且

n是2至4的整数，其中括号内的所述n个菲咯啉基中的每一个彼此相同或不同。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中所述透明阴极包含透明导电氧化物、金属硫化物、Ag或其混合物。

4.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管包含第一有机半导体层和第二有机半导体层，并且所述有机发光二极管还包含第一发射层和第二发射层，所述第一有机半导体层被布置在所述第一发射层与第二发射层之间，并且所述第二有机半导体层被布置在所述透明阴极与布置得最接近所述透明阴极的发射层之间。

5.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管还包含至少一个电子传输层，其中所述一个或多个电子传输层被布置在所述一个或多个发射层与所述一个或多个有机半导体层之间。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述电子传输层包含极性第一基质化合物或非极性第一基质化合物。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述电子传输层包含非极性第一基质化合物。

8.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中所述第一零价金属掺杂剂选自：碱土金属和稀土金属。

9.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中所述第一零价金属掺杂剂以所述有机半导体层的总重量计大于1重量％的量存在于所述有机半导体层中。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第一零价金属掺杂剂以所述有机半导体层的总重量计大于3重量％的量存在于所述有机半导体层中。

11.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中n为2或3。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，其中n为2。

13.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中L¹是单键。