[发明专利]包含有机半导体层的有机发光二极管有效

专利信息
申请号: 201710400285.1 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN107452896B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 维金塔斯·扬库什;卡斯滕·罗特 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 刘慧;杨青
地址: 德国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 有机半导体 有机 发光二极管
【说明书】:

发明涉及一种包含有机半导体层的有机发光二极管。所述有机发光二极管包含阳极、透明阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层,其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与透明阴极之间,并且所述有机半导体层包含第一零价金属掺杂剂和第一基质化合物,其中所述第一基质包含至少两个菲咯啉基,本发明还涉及制造所述有机发光二极管的方法。

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管(OLED),其包含透明阴极和其中含有式1的化合物的有机半导体层,还涉及制造所述包含有机半导体层的有机发光二极管(OLED)的方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)是自发光器件,具有广视角、出色的对比度、快速响应性、高亮度、出色的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包括顺序堆叠在衬底上的阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。就此而言,所述HIL、HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。

当向阳极和阴极施加电压时,从阳极注入的空穴经HIL和HTL向EML移动,从阴极注入的电子经ETL向EML移动。所述空穴和电子在EML中复合,以生成激子。

具有透明阴极的有机发光二极管在本领域中是公知的。然而,这些有机发光二极管存在问题,即它们受困于性能不良,这据推断是由下方的层在溅射过程中引起的损伤造成的,特别是如果下方的层包含金属掺杂剂的话。现有技术的克服这些问题的一种方法是提供另外的溅射保护层。例如,在US2015069351中描述了可以将有机基质化合物用锂掺杂,随后是受体层(CNHAT)和透明阴极。

JP2008243932公开了一种有机电致发光元件。在所述有机电致发光元件中,阳极、发光功能层和透光阴极被依次层叠。所述有机电致发光元件具有使用通式(1)示出的有机材料的电子传输层,其位于发光层与所述阴极之间。所述阴极具有在透明导电材料中含有碱金属元素、第二族元素或稀土元素的第一层。其中通式(1)中的A表示具有菲咯啉骨架或苯醌骨架的取代基,(n)表示2或更大的自然数,并且B表示选自苯环、具有三联苯骨架的取代基和萘环中的至少一者。其中当B表示苯环时,所有A在骨架中含有烷基和芳基中的至少一者。

发明内容

因此,本发明的目的是提供具有透明阴极的OLED,其克服了现有技术的缺点,特别是具有改善的操作电压、提高的工作器件得率和/或器件中减少的层数和化合物数目。

这一目的通过一种包含阳极、透明阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层的有机发光二极管得以实现,其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与透明阴极之间,并且所述有机半导体层包含第一零价金属掺杂剂和第一基质化合物,其中所述第一基质包含至少两个菲咯啉基,优选地2至4个菲咯啉基;

其中所述第一零价金属掺杂剂选自:碱金属、碱土金属、稀土金属、3族过渡金属及其混合物;

其中所述有机半导体层具有100至500nm的厚度;并且

其中所述有机半导体层与所述透明阴极层直接接触。

另一方面,提供了一种有机发光二极管,其包含阳极、透明阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层,其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与透明阴极之间,并且所述有机半导体层由第一零价金属掺杂剂和第一基质化合物构成,其中所述第一基质包含至少两个菲咯啉基,优选地2至4个菲咯啉基;

其中所述第一零价金属掺杂剂选自:碱金属、碱土金属、稀土金属、3族过渡金属及其混合物;

其中所述有机半导体层具有100至500nm的厚度;并且

其中所述有机半导体层与所述透明阴极层直接接触。

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