[发明专利]确定方法、信息处理装置、曝光装置以及物品制造方法

说明书

本发明涉及确定方法、信息处理装置、曝光装置以及物品制造方法。一种确定方法，确定曝光装置中的曝光条件，所述曝光装置通过利用投影光学系统将原版的图案投影到基板而对所述基板进行曝光，所述确定方法包括：设定工序，设定所述投影光学系统的波面像差的多个分量中的、将(r，θ)设为极坐标、将n设为自然数、将f(r)设为r的函数而通过f(r)·cos(4nθ)及f(r)·sin(4nθ)表现的分量；以及确定工序，确定曝光条件，以使作为所述分量所致的聚焦位置的变化量的聚焦灵敏度收敛于目标范围。

技术领域

本发明涉及曝光条件的确定方法、存储介质、信息处理装置、曝光装置以及物品制造方法。

背景技术

液晶面板、有机EL面板等显示器是经由通过曝光装置将原版(还被称为掩模或者中间掩模)的图案转印到基板(经由该图案对基板进行曝光)的光刻工序而制造的。近年来，特别是对嵌入到智能手机或者平板终端等的显示器的高精细化的要求提高，因此，对曝光装置要求高的分辨率。

如果将投影光学系统的数值孔径设为NA、将曝光光的波长设为λ、将依赖于曝光工艺的常数(k1因子)设为k1，则用下式表示曝光装置的分辨率。

(分辨率)＝k1×λ/NA (1)

根据式(1)，为了使曝光装置的分辨率提高，有增大曝光装置的投影光学系统的数值孔径NA的方法、和缩短曝光波长λ的方法。当前的显示器制造用的曝光装置的投影光学系统的数值孔径是 0.08～0.10左右，曝光光的波长是从超高压汞灯的g线(波长436nm) 至i线(波长365nm)的波长。通过这些条件，曝光装置的分辨率实现至线宽2μm左右。不论是在增大投影光学系统的数值孔径的情况下还是在缩短曝光波长的情况下，都需要抑制投影光学系统的像差。作为像差的表现方法，一般利用使用泽尔尼克多项式的表现。球面像差分量用f(r)的形式来表现，慧形像差分量用f(r)·cosθ以及f(r) ·sinθ的形式来表现，像散分量用f(r)·cos2θ以及f(r)·sin2θ的形式来表现。进而，还有f(r)·cos3θ以及f(r)·sin3θ分量(3θ分量的像差)、f(r)·cos4θ以及f(r)·sin4θ分量(4θ分量的像差) 等。投影光学系统的像差通过这些大量的分量的线性组合来表现。如已知那样，投影光学系统的像差对转印到基板的图案的形状以及尺寸造成影响。

实际上，在使用曝光装置将原版的图案转印到基板时，需要确定曝光条件。曝光条件例如有原版的图案、照明条件、投影光学系统的数值孔径以及像差等，确定曝光条件以使工艺余裕(process margin) 等预定的评价指标成为最优值或者目标范围内的值。在日本特开 2013-16710号公报中，记载了对掩模参数、照明参数、像差参数进行最优化。

在投影光学系统的设计中，需要同时满足针对投影光学系统的各种构成要素的尺寸、投影光学系统整体的尺寸、光学元件的加工形状等的制约条件。即使在考虑满足这些制约条件和降低像差这双方的同时设计投影光学系统，投影光学系统的类型所特有的像差残存的情形也不少。残存的像差为使将原版的图案投影到基板而形成的像的对比度降低、或者使析像的位置变化等使成像性能降低的主要原因。在显示器制造用的曝光装置的情况下，投影光学系统的结构是奥夫纳 (Offner)型或者戴森(Dyson)型的情形较多，但在使用这些投影光学系统来设计NA比以往高的投影光学系统时，可能残存各种像差。虽然能够使用配置于投影光学系统的内部的校正板等校正光学元件来降低这些像差中的慧形像差、像散、歪曲像差，但关于4θ系等4nθ系的像差，没有简便地调整像差量的方法。4nθ系的像差导致纵向的图案以及横向的图案的焦点位置和倾斜方向的图案的焦点位置之间的偏移，所以成为产生这样的依赖于方向的图案的线宽的差的原因，不令人满意。此外，4nθ系的像差表示4θ系、8θ系、12θ系等像差的全部或者一部分。

发明内容

本发明例如提供一种有利于通过具有4nθ系的像差的投影光学系统对基板进行曝光的方法。