[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201710402652.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107689355B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一导电接触件，设置在衬底上方，所述第一导电接触件包括具有第一横向宽度的突出的最上表面，所述突出的最上表面为中心处沿垂直于所述横向的方向向外突出的曲面；以及
第二导电接触件，位于所述第一导电接触件上方并且至少部分地位于所述第一导电接触件内，所述第二导电接触件包括具有第二横向宽度的下部，其中，所述第一横向宽度大于所述第二横向宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电接触件横向设置为邻近栅极结构，并且所述第二导电接触件设置在所述栅极结构之上的层级处。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括位于所述栅极结构内的空隙。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括设置在所述栅极结构之上的层级处的蚀刻停止层(ESL)，其中，所述第二导电接触件穿透所述蚀刻停止层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电接触件和所述第二导电接触件具有锥形侧壁轮廓。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电接触件具有设置为低于所述第一导电接触件的最上表面的最下表面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一导电接触件的最上表面在远离所述衬底的方向上突出。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一导电接触件的最大垂直高度大于所述第一导电接触件的侧壁的垂直距离的矢量投影。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二导电接触件的所述最下表面和所述第一导电接触件的所述最上表面之间的距离小于1.0nm。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括插接在所述第一导电接触件的最下表面和源极/漏极(S/D)区之间的硅化物区。
11.一种半导体器件，包括：
第一绝缘材料，设置在衬底上方；
第一导电接触件，设置在所述第一绝缘材料中，所述第一导电接触件包括突出的最上表面，所述第一导电接触件具有沿着所述第一导电接触件的中心线的第一高度，所述第一导电接触件具有沿着所述第一导电接触件的侧壁的垂直矢量投影的第二高度，其中，所述第一高度大于所述第二高度；
第二绝缘材料，设置在所述第一绝缘材料上方；以及
第二导电接触件，位于所述第二绝缘材料中，所述第二导电接触件设置在所述第一导电接触上方并且至少部分地位于所述第一导电接触件内。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一导电接触件横向设置为邻近鳍式场效应晶体管栅极结构，并且所述第二导电接触件设置在所述鳍式场效应晶体管栅极结构之上的层级处。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括位于所述鳍式场效应晶体管栅极结构内的空隙。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括设置在所述鳍式场效应晶体管栅极结构之上的层级处的蚀刻停止层(ESL)，其中，所述第二导电接触件穿透所述蚀刻停止层。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一导电接触件和所述第二导电接触件具有锥形侧壁轮廓。
16.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二导电接触件的最下表面和所述第一导电接触件的突出的最上表面之间的距离小于1.0nm。
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