[发明专利]半导体器件和方法

说明书

一种用于制造半导体器件(例如，鳍式场效应晶体管)的代表性方法包括以下步骤：在衬底上方沉积第一绝缘材料，并且在第一绝缘材料中形成第一导电接触件。第一导电接触件具有突出的最上表面，具有沿着第一导电接触件的中心部分的第一高度和沿着第一导电接触件的侧壁的垂直矢量投影的第二高度。第一高度大于第二高度。在第一绝缘材料上方设置第二绝缘材料，并且在第二绝缘材料中形成第二导电接触件。在第一导电接触件上方设置第二导电接触件并且至少部分地位于第一导电接触件内。第二导电接触件的最下表面和第一导电接触件的突出的最上表面之间的距离小于约1.0nm。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件和方法。

背景技术

半导体器件用于例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体产业通过最小部件尺寸的不断减小来持续地改进各个电子组件 (例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许在给定的区域中集成更多的组件。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的额外的问题。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一导电接触件，设置在衬底上方，所述第一导电接触件包括具有第一横向宽度的最上表面；以及第二导电接触件，位于所述第一导电接触件上方，所述第二导电接触件包括具有第二横向宽度的下部，其中，所述第一横向宽度大于所述第二横向宽度。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：第一绝缘材料，设置在衬底上方；第一导电接触件，设置在所述第一绝缘材料中，所述第一导电接触件包括突出的最上表面，所述第一导电接触件具有沿着所述第一导电接触件的中心线的第一高度，所述第一导电接触件具有沿着所述第一导电接触件的侧壁的垂直矢量投影的第二高度，其中，所述第一高度大于所述第二高度；第二绝缘材料，设置在所述第一绝缘材料上方；以及第二导电接触件，位于所述第二绝缘材料中，所述第二导电接触件设置在所述第一导电接触上方并且至少部分地位于所述第一导电接触件内。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方沉积第一绝缘材料；在所述第一绝缘材料中形成第一导电接触件，所述第一导电接触件包括突出的最上表面，所述第一导电接触件具有沿着所述第一导电接触件的中心线的第一高度，所述第一导电接触件具有沿着所述第一导电接触件的侧壁的垂直矢量投影的第二高度，其中，所述第一高度大于所述第二高度；在所述第一绝缘材料上方沉积第二绝缘材料；以及在所述第二绝缘材料中形成第二导电接触件，所述第二导电接触件设置在所述第一导电接触件上方并且至少部分地位于所述第一导电接触件内，其中，所述第二导电接触件的最下表面和所述第一导电接触件的最上表面之间的距离小于1.0nm。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出了根据一些实施例形成finFET器件的工艺中的步骤。

图2A至图2B示出了根据一些实施例形成源极/漏极区。

图3示出了根据一些实施例形成第一开口。

图4示出了根据一些实施例形成介电层和第二开口。

图5示出了根据实施例形成第二接触件。

图6A至6C示出了根据实施例调整源极/漏极区。

图7A至图7C示出了根据实施例形成接缝。

图8A至图8B示出了根据实施例调整第一接触件。