[发明专利]体声波滤波器装置

说明书

本申请要求于2016年8月11日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0102557号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及体声波滤波器装置。

背景技术

体声波(BAW)双工器可包括：用于发送和接收的BAW滤波器，分别表面安装在多层基板上；辅助电路，利用多层基板实施。由于BAW滤波器可以以二维的方式表面安装在多层基板上，因此在空间最小化方面可能会有限制。

另外，由于RF前端模块的厚度被减小，因此BAW双工器的厚度也需要被减小。为此，需要实施薄的多层基板。当电感器形成在薄的多层基板上时，从地面的高度可能会相对低，因此，形成BAW双工器所需的电感器的品质因数(Q)也可能会低，这样可能会导致插入损耗的增加。

此外，当在BAW双工器上执行晶圆级封装(WLP)时，BAW双工器可通过涂敷粘合材料并使粘合材料熔化以在晶圆之间形成结合部来密封。然而，这样可能不能完全阻挡水分或其他污染物渗入BAW双工器。

发明内容

提供本发明内容以简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意于限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中，一种体声波滤波器装置包括：第一基板；第一滤波器，在所述体声波滤波器装置的腔内，所述第一滤波器设置在所述第一基板上；第二基板，结合到所述第一基板；在所述腔内，所述第二滤波器设置在所述第二基板上并且面对所述第一滤波器；第一电感器层，设置在所述第一基板上以及所述第一滤波器的周围；第二电感器层，设置在所述第二基板上以及所述第二滤波器的周围，并结合到所述第一电感器层；及密封构件，与所述第一电感器层和所述第二电感器层一起密封所述腔。

所述第一电感器层和所述第二电感器层可具有彼此对应的螺旋形状。

所述密封构件可形成在所述第一电感器层和所述第二电感器层的敞开区域中。

所述密封构件可包含多晶硅材料。

所述第一电感器层的厚度可大于所述第一电感器层的宽度，所述第二电感器层的厚度可大于所述第二电感器层的宽度。

所述第一基板可包括设置在所述第一电感器层周围的蚀刻槽，所述第二基板可包括设置在所述第二电感器层周围的蚀刻槽。

所述蚀刻槽可通过反应离子蚀刻(RIE)形成。

所述第一电感器层和所述第二电感器层可包含铜和镍中的任意一种，并且可通过镀覆形成。

所述第一电感器层和所述第二电感器层可通过共晶键合彼此结合。

所述体声波滤波器装置还可包括设置在所述第一基板的底表面上且连接到过孔的连接垫。

所述第一基板可包括其上形成有所述第一电感器层以及所述密封构件的辅助层，所述第二基板可包括其上形成有所述第二电感器层以及所述密封构件的辅助层。

所述密封构件可设置在所述辅助层的其上没有形成所述第一电感器层和所述第二电感器层的部分上。

所述体声波滤波器装置还可包括：第一结合层，在所述第一电感器层的外部，所述第一结合层设置在所述第一基板上；及第二结合层，设置在所述第二基板上且结合到所述第一结合层。

在另一总的方面中，一种体声波滤波器装置包括：第一基板；第一滤波器，在所述体声波滤波器装置的腔内，所述第一滤波器设置在所述第一基板上；第二基板，结合到所述第一基板；第二滤波器，在所述腔内，所述第二滤波器设置在所述第二基板上并且面对所述第一滤波器；电感器，具有螺旋形状并包括包围所述第一滤波器和所述第二滤波器的第一电感器层和第二电感器层；及密封构件，密封所述电感器的一部分以密封所述腔。

所述第一基板可包括设置在所述第一电感器层周围的蚀刻槽，所述第二基板可包括设置在所述第二电感器层周围的蚀刻槽。

所述第一电感器层的厚度可大于所述第一电感器层的宽度，所述第二电感器层的厚度可大于所述第二电感器层的宽度。

所述密封构件可包含多晶硅材料。

所述电感器和所述密封构件可结合到所述第一基板和所述第二基板。

通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是示出根据实施例的体声波滤波器装置的示意性截面图。

图2是示出图1的体声波滤波器装置的第一电感器层的示图。