[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法有效
申请号: | 201710407555.1 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN106990574B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 绪浩舒;宫奎;崔显西 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;王小会 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 驱动 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:
第一薄膜晶体管,
第二薄膜晶体管,
像素电极,与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之一为N型薄膜晶体管,另一个为P型薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之一被配置为开启像素,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中另一被配置为在关断时导走关断电流,其中
所述第一薄膜晶体管包括第一电极和第二电极,所述第二薄膜晶体管包括第三电极和第四电极,所述第二电极和所述第三电极电连接,所述第二电极与所述像素电极电连接,并且所述第三电极与所述像素电极电连接,
所述第一电极与数据线电连接,所述数据线被配置为给所述第一薄膜晶体管提供数据电压,所述第四电极连接至参考电压端,
所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极,所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极,其中,
所述第一栅极和所述第二栅极连接至同一条栅极线,或者,
所述第一栅极与第一栅极线电连接,所述第二栅极与第二栅极线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述参考电压端输出公共电压。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层,所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层,所述第一电极和所述第二电极彼此间隔并分别与所述第一有源层接触,所述第三电极和所述第四电极彼此间隔并分别与所述第二有源层接触,所述第一电极和所述第二电极位于所述第一有源层之上,所述第二有源层位于所述第三电极和所述第四电极之上,所述第一栅极和所述第一有源层正对,所述第二栅极和所述第二有源层正对,所述第一有源层和所述第一栅极之间、以及所述第二有源层和所述第二栅极之间设置有栅极绝缘层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,所述第一有源层和所述第二有源层之一的材料包括a-Si、p-Si或金属氧化物,另一个的材料包括三苯基胺、并五苯、酞菁或寡聚噻吩。
5.一种阵列基板的制作方法,包括:
形成第一薄膜晶体管,
形成第二薄膜晶体管,
形成像素电极,所述像素电极与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之一为N型薄膜晶体管,另一个为P型薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之一被配置为开启像素,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中另一被配置为在关断时导走关断电流,其中
所述第一薄膜晶体管包括第一电极和第二电极,所述第二薄膜晶体管包括第三电极和第四电极,所述第二电极和所述第三电极电连接,所述第二电极与所述像素电极电连接,并且所述第三电极与所述像素电极电连接,
所述第一电极与数据线电连接,所述数据线被配置为给第一薄膜晶体管提供数据电压,所述第四电极连接至参考电压端,
所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极,所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极,
其中,
所述第一栅极和所述第二栅极连接至同一条栅极线,或者,
所述第一栅极与第一栅极线电连接,所述第二栅极与第二栅极线电连接。
6.一种显示装置,包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
7.根据权利要求6所述的显示装置,显示装置包括液晶显示装置。
8.一种应用于权利要求6所述的显示装置的驱动方法,包括:
在对所述第一薄膜晶体管施加栅关闭信号的至少一部分时间内,对所述第二薄膜晶体管施加栅开启信号。
9.根据权利要求8所述的驱动方法,其中,当所述第一栅极和所述第二栅极连接至同一条栅极线时,
所述第一栅极和所述第二栅极电连接,
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管被施加同一栅信号,在对所述第一薄膜晶体管施加栅关闭信号的时间内,对所述第二薄膜晶体管施加栅开启信号。
10.根据权利要求8所述的驱动方法,其中,当所述第一栅极与第一栅极线电连接、所述第二栅极与第二栅极线电连接时,
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管被施加不同的栅信号,在对所述第一薄膜晶体管施加栅关闭信号的一部分时间内,对所述第二薄膜晶体管施加栅开启信号。
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