[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201710407555.1 申请日: 2017-06-02
公开(公告)号: CN106990574B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 绪浩舒;宫奎;崔显西 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1333
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒;王小会
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示装置 驱动 方法
【说明书】:

提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括:包括:第一薄膜晶体管,第二薄膜晶体管和像素电极,像素电极与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之一为N型薄膜晶体管,另一个为P型薄膜晶体管。该阵列基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法可以降低关断电流对像素的影响,从而避免相关不良的发生。

技术领域

本公开至少一实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是目前市面上最主流的显示器,已经得到了充分的普及,应用于我们生活的方方面面。

发明内容

本公开的至少一实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法,以降低关断电流对像素的影响,从而避免相关不良的发生。

本公开的至少一实施例提供一种阵列基板,包括:

第一薄膜晶体管,

第二薄膜晶体管,

像素电极,与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之一为N型薄膜晶体管,另一个为P型薄膜晶体管。

本公开的至少一实施例还提供一种阵列基板的制作方法,包括:

形成第一薄膜晶体管,

形成第二薄膜晶体管,

形成像素电极,所述像素电极与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之一为N型薄膜晶体管,另一个为P型薄膜晶体管。

本公开的至少一实施例还提供一种显示装置,包括本公开的至少一实施例还提供的任一阵列基板。

本公开的至少一实施例还提供一种显示装置的驱动方法,包括:

在对所述第一薄膜晶体管施加栅关闭信号的至少一部分时间内,对所述第二薄膜晶体管施加栅开启信号。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。

图1为一种液晶显示装置的示意图;

图2为一种液晶显示装置或其驱动方法示意图;

图3A为本公开一实施例提供的一种液晶显示装置或其驱动方法示意图;

图3B为本公开另一实施例提供的一种液晶显示装置或其驱动方法示意图;

图4为本公开一实施例提供的一种液晶显示装置给像素充电的示意图;

图5为本公开一实施例提供的一种液晶显示装置关断电流流出的示意图;

图6为本公开另一实施例提供的一种液晶显示装置或其驱动方法示意图;

图7A为本公开一实施例提供的一种阵列基板的剖视示意图;

图7B为本公开另一实施例提供的一种阵列基板的剖视示意图;

图7C为本公开另一实施例提供的一种阵列基板的剖视示意图;

图8为本公开一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的示意图;

图9为本公开一实施例提供的一种显示装置的驱动方法的示意图;

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