[发明专利]一种小信号量测的去嵌方法

说明书

本发明公开了一种小信号量测的去嵌方法，包括：形成一待测件量测结构、一直通去嵌件和一开路去嵌件；分别测试并且提取待测件量测结构、开路去嵌件和直通去嵌件的S散射参数；通过算法将直通去嵌件的S散射参数提取出等效的短路去嵌件的S散射参数；将开路去嵌件的S散射参数转换成Y导纳参数；将等效的短路去嵌件的S散射参数转换成Z阻抗参数；将待测件量测结构的S散射参数分别转换成Y导纳和Z阻抗参数，并与开路去嵌件和等效的短路去嵌件的应参数进行矩阵计算，获得去嵌后的S散射参数。对于带孔器件，本发明方法可以避免短路去嵌件去嵌过程中，量测结果被过度去嵌。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路量测领域，特别涉及一种小信号量测的去嵌方法。

背景技术

RF(射频)量测中，量测的参考端面是先通过校准移至探针的针尖，再通过去嵌入移至器件端面。去嵌入时，只有准确合理的端面，才能量测并提取出器件的S散射参数数据。不合理的端面位置会给结果加入走线等的寄生效应或者扣去器件原有的小信号特性。当前常用去嵌入的方法是基于开路和短路两个去嵌件，如附图2、4和5所示。具体的，形成一待测件量测结构、一直通去嵌件和一开路去嵌件。具体的，如图2所示，所述待测件量测结构包括一待测件DUT、一信号输入焊盘S1、一信号输出焊盘S2、第一接地焊盘G1、第二接地焊盘G2、第三接地焊盘G3、第四接地焊盘G4、第一接地背孔V1和第二接地背孔V2，所述信号输入焊盘S1与所述待测件DUT的输入端通过接线金属M1相连，所述信号输出焊盘S2与所述待测件DUT的输出端通过接线金属M2相连，所述第一接地背孔V1与所述待测件DUT的接地端通过接线金属M3相连，所述第二接地背孔V2与所述待测件DUT的接地端通过接线金属M4相连。如图4所示，开路去嵌件是在所述待测件量测结构的基础上去除所述待测件DUT、所述接线金属M3和所述接线金属M4。如图5所示，短路去嵌件是在所述所述待测件量测结构的基础上去除所述待测件DUT、所述接线金属M1、所述接线金属M2、所述接线金属M3及所述接线金属M4，且所述信号输入焊盘S1、信号输出焊盘S2、第一接地背孔V1和第二接地背孔V2之间通过所述接线金属M5相连。现有的去嵌入的方法能量测并提取出器件的S散射参数数据，但对于带孔器件，短路去嵌件包括部分器件带孔部分，造成过度去嵌。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提出一种小信号量测的去嵌方法，在去嵌原理上，针对带孔器件的去嵌方法，提出用直通去嵌件代替短路去嵌件，并将量得的直通去嵌件的结果通过算法提取出表征电阻特性的等效短路特征。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种小信号量测的去嵌方法，包括如下步骤：

步骤一，形成一待测件量测结构、一直通去嵌件和一开路去嵌件；所述待测件量测结构包括一待测件DUT、一信号输入焊盘S1、一信号输出焊盘S2、第一接地焊盘G1、第二接地焊盘G2、第三接地焊盘G3、第四接地焊盘G4、第一接地背孔V1和第二接地背孔V2，所述信号输入焊盘S1与所述待测件DUT的输入端通过接线金属M1相连，所述信号输出焊盘S2与所述待测件DUT的输出端通过接线金属M2相连，所述第一接地背孔V1与所述待测件DUT的接地端通过接线金属M3相连，所述第二接地背孔V2与所述待测件DUT的接地端通过接线金属M4相连；所述直通去嵌件是在所述待测件量测结构的基础上去除所述待测件DUT、所述第一接地背孔V1、所述第二接地背孔V2、所述接线金属M3及所述接线金属M4，且所述信号输入焊盘S1和信号输出焊盘S2之间通过所述接线金属M1和所述接线金属M2相连；所述开路去嵌件是在所述待测件量测结构的基础上去除所述待测件DUT、所述接线金属M3和所述接线金属M4；

步骤二，分别测试并提取所述待测件量测结构、开路去嵌件和直通去嵌件的S散射参数；

步骤三，通过算法将所述直通去嵌件的S散射参数提取出等效的短路去嵌件的S散射参数；

步骤四，将所述开路去嵌件的S散射参数转换成Y导纳参数；