[发明专利]掩膜板及其制作方法有效
申请号: | 201710409355.X | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN107422598B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 刘明星;周丽芳;王徐亮;侯炜轩 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王乐 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 及其 制作方法 | ||
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:
掩膜板基体,所述掩膜板基体具有AA区以及非AA区,且所述掩膜板基体包括相对的第一表面和第二表面,所述AA区具有用于蒸镀的第一开口,所述第一开口贯穿所述掩膜板基体,所述非AA区具有非用于蒸镀的第二开口,所述第二开口位于所述第一表面上;
以及第一电铸层,位于所述掩膜板基体的第一表面上,且所述第一电铸层露出所述第一开口,并覆盖所述第二开口。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一电铸层的厚度为1μm~5μm。
3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板还包括位于所述掩膜板基体的第二表面上的第二电铸层,所述第二电铸层露出所述第一开口。
4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述第二电铸层的厚度为1μm~5μm。
5.一种掩膜板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供掩膜板基体,所述掩膜板基体具有AA区以及非AA区,且所述掩膜板基体包括相对的第一表面和第二表面;
在所述AA区形成用于蒸镀的第一开口,所述第一开口贯穿所述掩膜板基体,并在所述非AA区的所述第一表面上形成非用于蒸镀的第二开口;
在所述第一开口处填充第一芯模,且使所述第一芯模突出于所述第一表面;在所述第二开口处填充第二芯模,且使所述第二芯模的外表面与所述第一表面平齐;
在所述第一表面上形成第一电铸层,并使所述第一芯模突出于所述第一电铸层,且所述第一电铸层覆盖所述第二芯模;
以及在所述第一表面上形成第一电铸层之后去除所述第一芯模,得到掩膜板。
6.根据权利要求5所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,在所述第一表面上形成第一电铸层之后,所述掩膜板的制作方法还包括去除所述第二芯模的步骤。
7.根据权利要求5或6所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,所述第二开口为贯穿所述掩膜板基体的通孔。
8.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,去除所述第一芯模之后,所述掩膜板的制作方法还包括以下步骤:
分别在所述第一开口以及所述第二开口处填充第三芯模与第四芯模,且使所述第三芯模突出于所述第二表面,所述第四芯模的外表面与所述第二表面平齐;
在所述第二表面上形成第二电铸层,并使所述第三芯模突出于所述第二电铸层,且所述第二电铸层覆盖所述第四芯模;
以及在所述第二表面上形成第二电铸层之后去除所述第三芯模。
9.根据权利要求5或6所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,所述第二开口为盲孔。
10.根据权利要求9所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,去除所述第一芯模之后,所述掩膜板的制作方法还包括以下步骤:
在所述第一开口处填充第三芯模,且使所述第三芯模突出于所述第二表面;
在所述第二表面上形成第二电铸层,并使所述第三芯模突出于所述第二电铸层;
以及在所述第二表面上形成第二电铸层之后去除所述第三芯模。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备