[发明专利]使用缺陷特定的信息检测晶片上的缺陷

说明书

本发明提供用于使用缺陷特定的信息检测晶片上的缺陷的方法及系统。一种方法包含获取晶片上的目标的信息。所述目标包含形成在所述晶片上的关注图案及接近所述关注图案或在所述关注图案中发生的已知DOI。所述信息包含所述晶片上的所述目标的图像。所述方法还包含搜索所述晶片或另一晶片上的目标候选者。所述目标候选者包含所述关注图案。提供所述目标及目标候选者位置以进行缺陷检测。此外，所述方法包含通过识别所述目标候选者的图像中的潜在DOI位置及将一或多个检测参数应用到所述潜在DOI位置的图像而检测所述目标候选者中的所述已知DOI。

本申请是申请日为2013年10月11日，申请号为“201380064423.3”，而发明名称为“使用缺陷特定的信息检测晶片上的缺陷”的申请的分案申请。

技术领域

本发明大体上涉及使用缺陷特定的信息检测晶片上的缺陷。

背景技术

下文描述及实例不因其包含在背景技术中而被认定为现有技术。

在半导体制造工艺期间的不同步骤中使用检验工艺以检测晶片上的缺陷。任何晶片检验系统的一个重要目的是抑制妨害缺陷。妨害缺陷是可能与半导体良率无关的所检测事件。这些妨害缺陷可能由晶片噪声及系统噪声导致或为晶片上的实体对象。妨害缺陷可能出现在晶片上的任何位置。一些关注缺陷(DOI)可能出现在晶片上的特定位置。DOI的上下文信息可用作缺陷检测的先前知识。已开发使用上下文信息的数种方法以检测缺陷。一种此方法使用图形数据串流(GDS)数据或设计信息以寻找缺陷可能以更高概率发生的热点及检验热点周围的缺陷。另一此方法匹配缺陷背景并在缺陷检测后保留或移除匹配的缺陷。

但是，此类方法存在若干缺点。举例来说，第一方法适用于GDS数据。但是，(例如)半导体制造厂中的缺陷工程师可能无法在所有情形中都获得GDS信息。此外，用户需进行图块到设计对准(patch-to-design alignment；PDA)及基于运行时间划幅的对准以精确重叠图像上的关照区域。如果基于划幅的对准失败，那么被划幅覆盖的位置将得不到检验。如果妨害缺陷的缺陷计数及缺陷类型相对较大，那么在缺陷检测后执行的第二方法可使检验显著变慢。此外，如果缺陷信号相对较弱，那么可检测大量妨害缺陷。缺陷信号可被定义为具有缺陷的图像与无缺陷的参考图像之间的最大灰阶差异。参考图像与缺陷图像在空间上对准且可从晶片上的相邻裸片或多个裸片获取。此外，如果执行所述方法以保持系统DOI，那么需要其它妨害移除机制以分离妨害缺陷及随机分布的DOI。这些方法均不使用缺陷特定的信息。

因此，开发无上述的缺点中的一者或多者的用于检测晶片上的缺陷的方法及/或系统将是有利的。

发明内容

各种实施例的下文描述不得以任何方式解释为限制所附权利要求书的标的物。

一个实施例涉及用于使用缺陷特定的信息检测晶片上的缺陷的计算机实施的方法。所述方法包含获取晶片上的目标的信息。所述目标包含形成在晶片上的关注图案(POI)及接近POI或在POI中发生的已知关注缺陷(DOI)。所述信息包含通过使晶片上的目标成像而获取的晶片上的目标的图像、晶片上的POI的位置、已知DOI相对于POI的位置，以及从POI及已知DOI计算的一或多个特性。所述方法还包含搜索与晶片上或另一晶片上的裸片中的POI匹配的目标候选者。所述目标候选者包含POI。可在缺陷检测前的设置步骤中执行POI搜索。在POI搜索后，可针对每一潜在缺陷位置产生微关照区域(MCA)。可提供这些位置用于缺陷检测。此外，所述方法包含通过识别目标候选者的图像中的潜在DOI位置及将一或多个检测参数应用到潜在DOI位置的图像而检测目标候选者中的已知DOI。使用计算机系统执行已知DOI的检测。

本方法与当前使用的基于上下文的检验之间存在数个差异。首先，本方法不依赖图形数据串流(GDS)数据。此外，可执行高度精确的关照区域对准以检测特定缺陷。此外，在设置及缺陷检测期间使用上下文及缺陷特定的信息，而非在缺陷检测后使用上下文及缺陷特定的信息。