[发明专利]一种功率集成器件、封装方法及电源装置

权利要求书

1.一种功率集成器件，其特征在于：包括引脚及封装体，所述封装体包括正面、背面、第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，所述背面用于连接散热装置，一个或多个所述引脚从所述第一侧面延伸出，所述第一侧面靠近所述背面的部分设置为第一斜面。

2.如权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于：所述第二侧面靠近所述背面的部分设置为第二斜面，所述第二斜面与所述第一斜面相交于第一斜边；所述第四侧面与所述第一斜面相交于第四斜边。

3.如权利要求2所述的功率集成器件，其特征在于：所述引脚包括高压引脚和低压引脚，所述高压引脚靠近所述第一斜边，所述低压引脚靠近所述第四斜边，所述第一斜边和所述第四斜边与所述背面的一条底边相交，所述第一斜边与所述底边的第一夹角大于所述第四斜边与所述底边的第二夹角。

4.如权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于：所述封装体内部设有基岛、芯片和芯片连接线，所述芯片设于所述基岛的上表面，所述芯片通过所述芯片连接线与所述引脚相连。

5.如权利要求4所述的功率集成器件，其特征在于：所述基岛的下表面与所述背面齐平地暴露。

6.如权利要求4所述的功率集成器件，其特征在于：所述基岛包括第一基岛和第二基岛，所述第一基岛的面积大于所述第二基岛的面积，所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的面积大于所述第二芯片的面积，所述第一芯片设于所述第一基岛的上表面，所述第二芯片设于所述第二基岛的上表面。

7.根据权利要求6所述的功率集成器件，其特征在于：所述第一基岛或所述第二基岛的下表面与所述背面齐平地暴露。

8.如权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于：所述封装体嵌入有框架辅助承载片，所述框架辅助承载片一端外露，所述框架辅助承载片另一端与所述基岛相连，一个或多个所述框架辅助承载片从所述第二侧面、所述第三侧面或所述第四侧面中的至少一个侧面穿出，且暴露端与相应侧面对齐。

9.一种电源装置，其特征在于：包括权利要求1～8任一项所述的功率集成器件。

10.一种功率集成器件的封装方法，其特征在于：包括

基岛下沉设置，具体为：取引脚框架阵列，该引脚框架阵列包括多个引脚框架，所述引脚框架一端设有一个或多个引脚，引脚框架欲将被封装的部分作为承载芯片的基岛，基岛在下沉工具的作用下被下沉一定的距离且保持表面水平；

芯片安装，具体为：将芯片安装到基岛的上表面；

芯片连接，具体为：通过芯片连接线将芯片与引脚相连接；

芯片封装，具体为：将芯片与基岛包封在封装体中，封装体具有正面、背面、第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面，一个或多个所述引脚从第一侧面延伸出，第一侧面靠近所述背面还形成有斜面部分；

切割封装后的引脚框架阵列，获得功率集成器件。