[发明专利]一种功率集成器件、封装方法及电源装置

说明书

技术领域

本发明属于功率半导体器件封装领域，更具体地说，是涉及一种功率集成器件、封装方法及电源装置。

背景技术

在传统的封装技术中，封装结构大多采用引线框架封装的方式，即将切割后的单个芯片通过导电胶体焊接于引线框架上，再用连接导线将芯片的电极与引线框架的引脚连在一起，实现电性导通，最后用环氧树脂等封装胶体将其塑封起来，部分引线框架的引脚露在塑封体外，作为焊接电极，封装后的产品再通过回流焊的方式焊接应用于PCB板上。此种封装形式，热量主要通过引线框架的引脚传导出去，集成电路工作产生的热能不能实现良好的传导，主要集中在封装体的内部，散热效果不够理想，限制了封装芯片的功率。

此外，在一些现有技术封装件设计中，引线框架在安装表面上暴露，以便在封装芯片和散热装置之间提供低热阻。在其他封装件设计中，引线框架通过设置在引线框架和半导体封装件的安装表面之间的封装胶体的薄层与散热装置进行电隔离，而在这种情况下，通常希望将引线框架和安装表面之间的封装胶体的厚度尽可能保持得较薄，以便在引线框架和安装表面之间提供低热阻。但是由于爬电距离(沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间，在不同的使用情况下，由于导体周围的绝缘材料被电极化，导致绝缘材料呈现带电现象，此带电区的半径即为爬电距离)的要求，使得传统的封装件设计中该厚度通常都比较大，从而增大了引线框架和安装表面之间的热阻，散热效果不够理想，同时也增大了封装体积，不利于封装件的小型化。

以上不足，有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种功率集成器件，以解决现有技术中存在的封装件体积过大，散热效果不理想的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种功率集成器件，包括：引脚及封装体，所述封装体包括正面、背面、第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，所述背面用于连接散热装置，一个或多个所述引脚从所述第一侧面延伸出，所述第一侧面靠近所述背面的部分设置为第一斜面。

进一步地，所述第二侧面靠近背面的部分设置为第二斜面，所述第二斜面与所述第一斜面相交于第一斜边；所述第四侧面与所述第一斜面相交于第四斜边。

进一步地，所述引脚包括高压引脚和低压引脚，所述高压引脚靠近所述第一斜边，所述低压引脚靠近所述第四斜边，所述第一斜边和所述第四斜边与所述背面的一条底边相交，所述第一斜边与所述底边的第一夹角大于所述第四斜边与所述底边之间的第二夹角。

进一步地，所述封装体内部设有基岛、芯片和芯片连接线，所述芯片设于所述基岛的上表面，所述芯片通过所述芯片连接线与所述引脚相连。

进一步地，所述基岛的下表面与所述背面齐平地暴露。

进一步地，所述基岛包括第一基岛和第二基岛，所述第一基岛的面积大于所述第二基岛的面积，所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的面积大于所述第二芯片的面积，所述第一芯片设于所述第一基岛的上表面，所述第二芯片设于所述第二基岛的上表面。

进一步地，所述第一基岛或所述第二基岛的下表面与所述背面齐平地暴露。

进一步地，所述封装体嵌入有框架辅助承载片，所述框架辅助承载片一端外露，所述框架辅助承载片另一端与所述基岛相连，一个或多个所述框架辅助承载片从所述第二侧面、所述第三侧面或所述第四侧面中的至少一个侧面穿出，且暴露端与相应侧面对齐。

本发明的另一目的在于提供一种电源装置，包括上述的功率集成器件。

本发明的另一目的在于提供一种功率集成器件的封装方法，包括：

基岛下沉设置，具体为：取引脚框架阵列，该引脚框架阵列包括多个引脚框架，所述引脚框架一端设有一个或多个引脚，引脚框架欲将被封装的部分作为承载芯片的基岛，基岛在下沉工具的作用下被下沉一定的距离且保持表面水平；

芯片安装，具体为：将芯片安装到基岛的上表面；

芯片连接，具体为：通过芯片连接线将芯片与引脚相连接；

芯片封装，具体为：将芯片与基岛包封在封装体中，封装体具有正面、背面、第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面，一个或多个所述引脚从第一侧面延伸出，一个或多个框架辅助承载片从所述第二、所述第三、所述第四侧面中的至少一个侧面延伸出，所述第一侧面靠近所述背面还形成有斜面部分；

切割封装后的引脚框架阵列，获得功率集成器件。

本发明提供的功率集成器件的有益效果在于：

1、本发明功率集成器件通过将封装体第一侧面靠近背面部分设置为斜面，增大了引脚与背面之间沿着封装体表面的距离，从而满足了封装体的爬电距离的要求。