[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有背侧照明型的固态成像元件，所述方法包括以下步骤：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括主表面和在所述主表面的相对侧的背表面；

(b)在平面图中的第二区域的所述主表面的一部分处形成元件分离区域，所述第二区域围绕所述半导体衬底的第一区域；

(c)形成覆盖从所述第二区域中的所述元件分离区域露出的所述半导体衬底的主表面的绝缘膜；

(d)在步骤(c)之后，形成与所述第一区域的半导体衬底的主表面接触的硅化物层；

(e)在步骤(d)之后，在所述半导体衬底的主表面之上形成布线层并在所述布线层之上加入支撑衬底；

(f)在步骤(e)之后，通过去除所述第二区域的半导体衬底来露出所述绝缘膜；以及

(g)在步骤(f)之后，切割所述第二区域的布线层和支撑衬底，从而获得包括所述第一区域的半导体衬底的固态成像元件。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，还包括以下步骤：

(b1)在步骤(c)之前，在所述第一区域的所述半导体衬底的主表面之上形成光接收元件，

其中，在步骤(c)中，形成覆盖所述光接收元件的上表面和所述半导体衬底的主表面的所述绝缘膜，所述半导体衬底的主表面从所述第二区域的所述元件分离区域露出。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，还包括以下步骤：

(b2)在步骤(c)之前，在所述第一区域和所述第二区域中的每一个的半导体衬底的主表面之上隔着栅极绝缘膜形成栅极电极；

其中，在步骤(c)中，露出所述第一区域的所述栅极电极的上表面并形成所述绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第二区域的半导体衬底的主表面和所述第二区域的所述栅极电极的上表面，以及

其中，在步骤(f)中，通过去除所述第二区域的所述半导体衬底和所述栅极电极来露出所述绝缘膜。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体装置的方法，

其中在平面图中，步骤(b2)中形成的所述第二区域的所述栅极电极的整体与从所述元件分离区域露出的所述半导体衬底重叠。

5.根据权利要求3所述的用于制造半导体装置的方法，

其中在平面图中，步骤(b2)中形成的所述第二区域的所述栅极电极与所述元件分离区域和从所述元件分离区域露出的所述半导体衬底中的每一个重叠。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体装置的方法，

其中，在步骤(f)中，通过去除所述第二区域的所述半导体衬底和在平面图中与所述第二区域的所述元件分离区域不重叠的所述栅极电极来露出所述绝缘膜，以及

其中用于制造半导体装置的方法还包括以下步骤：

(f1)在步骤(f)之后并在步骤(g)之前，通过湿蚀刻方法来去除在平面图中与所述第二区域的所述元件分离区域重叠的所述栅极电极。

7.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，

其中，在步骤(f)中，通过执行各向异性蚀刻去除所述第二区域的所述半导体衬底，并且露出所述绝缘膜。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，

其中所述硅化物层包含钴或镍。

9.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，

其中，所述半导体衬底的主表面在平面图中被在步骤(b)中形成在所述第二区域中的所述元件分离区域围绕。

10.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，

其中，在步骤(f)中，通过去除所述第一区域的半导体衬底的一部分和所述第二区域的半导体衬底，形成穿过所述第一区域的半导体衬底的开口，以及

其中，用于制造半导体装置的方法还包括以下步骤：

(f2)在步骤(f)之后并在步骤(g)之前，在所述开口内或所述开口之上形成电极焊盘。