[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

2016年6月29日提交的日本专利申请No.2016-128548的公开内容(包含说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法，具体涉及能够适用于包括固态成像元件的半导体装置的技术。

背景技术

作为用于数码相机等的固态成像元件(图像元件)，已知在半导体衬底的主表面之上布置作为光接收元件的光电二极管。作为从半导体晶片(半导体衬底)获得多个固态成像元件的方法，存在切割半导体晶片的主表面中的格子状的划线区域(划线)的方法。

在日本未审查的专利申请公开No.2003-031785(专利文献1)中，描述了具有背侧光接收型的像素结构的固态成像元件。

在日本未审查的专利申请公开No.2015-159338(专利文献2)中，描述了在背侧照明(BSI)型的固态成像元件中，通过蚀刻去除在划线中形成的电介质层、多晶硅层、氧化硅层和衬底。

在日本未审查的专利申请公开No.2002-244174(专利文献3)中，描述了在背侧照明型的图像传感器中，通过蚀刻去除了接合区域的衬底、缓冲层和分离层，并露出金属层部。

在日本未审查的专利申请公开No.2006-140506(专利文献4)中，描述了在通过抛光进行的平坦化步骤中，在抛光对象的表面上产生凹陷或波纹。另外，描述了为了防止凹陷等的发生，在划线区域的半导体衬底之上形成虚设图案。

在日本未审查的专利申请公开No.Hei 10(1998)-012570(专利文献5)中，描述了作为形成低电阻的电极的技术，形成了覆盖衬底的上表面的硅化物层。

发明内容

为了降低在附近形成的晶体管的电极等的电阻，当在电极的表面处的半导体晶片的主表面之上形成硅化物层时，可能也在划线区域中形成硅化物层。在这种情况下，当通过蚀刻去除划线区域的半导体衬底时，经受蚀刻的划线区域的硅化物层分散，这成为固态成像元件的特性劣化的一个原因。

将从本说明书和附图的描述中阐明其它目的和新特征。

以下是本申请中公开的实施例中的代表性实施例的概要的简要描述。

根据本实施例的制造半导体装置的方法，在形成背侧照明型的固态成像元件的步骤中，在形成覆盖晶体管等的硅化物层之前形成覆盖划线区域的半导体衬底的主表面的绝缘膜。

此外，根据另一实施例的半导体装置，在背侧照明型的分割的固态成像元件的端部处，在从半导体衬底露出的区域中不形成硅化物层。

根据本申请中公开的实施例，可以提高半导体装置的可靠性。特别地，可以防止在成像元件中由硅化物层的蚀刻引起的缺陷的发生。

附图说明

图1是解释作为本发明的第一实施例的半导体装置的制造步骤的平面图。

图2是放大地示出图1的一部分的平面图。

图3是包括沿着图2的线A-A截取的截面的截面图。

图4是解释图3之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图5是解释图4之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图6是解释图5之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图7是解释图6之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图8是解释图7之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图9是解释图8之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图10是解释图9之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图11是解释图10之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图12是解释图11之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图13是解释图12之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图14是解释图13之后的半导体装置的制造步骤的平面图。

图15是包括沿着图14的线B-B截取的截面的截面图。

图16是解释作为本发明的第一实施例的第一变形例的半导体装置的制造步骤的平面图。

图17是解释作为本发明的第一实施例的第二变形例的半导体装置的制造步骤的平面图。

图18是解释作为本发明的第二实施例的半导体装置的制造步骤的平面图。

图19是包括沿着图18的线C-C截取的截面的截面图。

图20是解释图19之后的半导体装置的制造步骤的截面图。

图21是解释图20之后的半导体装置的制造步骤的截面图。