[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板有效
| 申请号： | 201710416020.0 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107204289B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 李海旭;曹占锋;姚琪;汪建国;孟凡娜 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：
形成金属薄膜；
对所述金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；所述对金属薄膜进行处理，包括利用湿法刻蚀设备采用指定溶液对金属薄膜进行处理；所述配合层中包括：用于与光刻胶产生氢键的三嗪环、亚胺基团、酰胺基团和芳香环；
通过构图工艺形成电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，指定溶液中的溶剂为二甲基甲酰胺，溶质为合成物溶液与硝酸溶液的混合液，所述合成物的分子式为C57H42N12O6·H2O。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，合成物溶液的质量百分比为30％-50％。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，处理的时间大于或者等于2分钟，处理的温度为40-50摄氏度。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，通过构图工艺形成电极包括：
在金属薄膜上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光和显影处理；
对金属薄膜进行刻蚀处理；
剥离光刻胶，形成电极；
其中，对光刻胶进行曝光和显影处理与形成配合层的时间间隔小于或者等于30分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电极为栅电极和/或源漏电极。
7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极和源漏电极；
栅电极和/或源漏电极为包括配合层和导电层的电极，所述配合层覆盖所述导电层，其中，配合层用于与光刻胶作用产生氢键，所述配合层通过利用湿法刻蚀设备采用指定溶液对金属薄膜进行处理形成的，所述配合层中包括用于与光刻胶产生氢键的三嗪环、亚胺基团、酰胺基团和芳香环。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电层的材料为金属。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
