[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，其中，该方法包括：形成金属薄膜；对金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；通过构图工艺形成电极，当在表面上形成有配合层的金属薄膜上进行构图工艺时，由于配合层与光刻胶作用产生氢键，有效的提高了光刻胶与金属之间的粘附力，使得金属刻蚀过程中光刻胶不易剥落，实现了薄膜晶体管的广泛使用。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，有机电致发光显示面板和液晶显示面板等平板显示面板发展迅速。

以液晶显示面板为例，液晶显示面板包括阵列基板，阵列基板包括：基板、位于基板上的薄膜晶体管以及像素电极，其中薄膜晶体管中包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，其中，在薄膜晶体管的制作工艺中，栅电极、源电极和漏电极均是在金属薄膜上通过包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺的构图工艺形成的。

目前，市场对于液晶显示面板的对比度和分辨率的要求越来越高，也就是说，薄膜晶体管中的源极线和漏极线的宽度需要越来越小。然而，由于光刻胶与金属之间的粘附力较弱，因此，源极线和漏极线的宽度较小会导致形成源电极和漏电极的刻蚀过程中光刻胶剥离，从而限制了薄膜晶体管的广泛使用。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，能够提高金属与光刻胶的粘附力，避免金属刻蚀过程中光刻胶剥落，实现了薄膜晶体管的广泛使用。

为了达到本发明目的，本发明提供了一种薄膜晶体管制作方法，包括：

形成金属薄膜；

对所述金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；

通过构图工艺形成电极。

进一步地，所述对金属薄膜进行处理，包括：

利用湿法刻蚀设备采用指定溶液对金属薄膜进行处理；

其中，指定溶液中的溶剂为二甲基甲酰胺，溶质为合成物溶液与硝酸溶液的混合液，所述合成物的分子式为C₅₇H₄₂N₁₂O₆·H₂O。

进一步地，合成物溶液的质量百分比为30％-50％。

进一步地，处理的时间大于或者等于2分钟，处理的温度为40-50摄氏度。

进一步地，通过构图工艺形成电极包括：

在金属薄膜上涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光和显影处理；

对金属薄膜进行刻蚀处理；

剥离光刻胶，形成电极；

其中，对光刻胶进行曝光和显影处理与形成配合层的时间间隔小于或者等于30分钟。

进一步地，所述电极为栅电极和/或源漏电极。

另外，本发明实施例还提供一种薄膜晶体管，包括：栅电极和源漏电极；

栅电极和/或源漏电极为包括配合层和导电层的电极，所述配合层覆盖所述导电层，其中，配合层用于与光刻胶作用产生氢键。

进一步地，所述配合层中包括三嗪环、亚胺基团、酰胺基团和芳香环。

进一步地，所述导电层的材料为金属。

另外，本发明实施例还提供一种显示面板，包括薄膜晶体管。