[发明专利]制造半导体封装的方法和用于其的载带膜

权利要求书

1.一种制造半导体封装的方法，包括：

在封装衬底中形成空腔；

在载带膜上提供所述封装衬底和管芯，所述载带膜包含胶带衬底、在所述胶带衬底上的黏合层和在所述黏合层上的绝缘层，且所述管芯提供于所述封装衬底的所述空腔中，所述黏合层和所述绝缘层分别包含第一光引发剂与第二光引发剂，且所述封装衬底包含衬底焊点，所述衬底焊点位于所述封装衬底的顶表面和底表面上；

形成包封层以覆盖所述绝缘层和所述空腔中的所述管芯以及覆盖所述绝缘层上的所述封装衬底；

将第一光照射到所述黏合层上以减小所述黏合层的黏合强度，所述第一光选择性地与所述第一光引发剂反应；

从所述绝缘层去除所述胶带衬底；以及

将第二光照射到所述绝缘层的一部分上以在所述封装衬底的所述衬底焊点上和所述管芯的一部分上形成第一接触孔，所述第二光的波长较所述第一光的波长短，所述第二光与所述第二光引发剂反应。

2.根据权利要求1所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述第一光包括具有第一波长的第一紫外光，且

所述第二光包括具有与所述第一波长不同的第二波长的第二紫外光。

3.根据权利要求1所述制造半导体封装的方法，其特征在于，还包括：

在所述管芯、所述封装衬底和所述绝缘层的部分上形成互连线；

形成保护层以具有暴露所述互连线的第二接触孔；

在通过所述第二接触孔暴露的所述互连线上形成凸块。

4.根据权利要求1所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述黏合层包括：

具有黏合性官能团的单体，

所述单体与所述第一光引发剂混合，其中所述黏合性官能团通过所述第一光照射到的所述第一光引发剂去除。

5.根据权利要求1所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述黏合层的所述黏合强度的所述减小包括加热所述黏合层。

6.根据权利要求5所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述黏合层包括：

黏合剂；以及

珠粒，其提供于所述黏合剂中，

其中，在所述黏合层的所述加热期间，所述珠粒膨胀以将所述黏合剂与所述绝缘层分开。

7.根据权利要求5所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述黏合层包括热固性树脂或热塑性树脂。

8.根据权利要求1所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述黏合层包括丙烯酸黏合剂或丙烯酸酯黏合剂。

9.根据权利要求1所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述封装衬底和所述管芯的所述提供包括：

在所述载带膜上按压所述封装衬底；以及

在所述载带膜上按压所述管芯。

10.根据权利要求1所述制造半导体封装的方法，其特征在于，所述封装衬底和所述管芯的所述提供包括：

在所述载带膜上按压所述管芯；

将所述管芯对准所述空腔；以及

在所述载带膜上按压所述封装衬底。

11.一种制造半导体封装的方法，包括：

在封装衬底中形成空腔；

在所述封装衬底上按压载带膜，所述载带膜包括胶带衬底、在所述胶带衬底上的黏合层和在所述黏合层上的绝缘层，所述黏合层和所述绝缘层分别包含第一光引发剂与第二光引发剂，且所述封装衬底包含衬底焊点，所述衬底焊点位于所述封装衬底的顶表面和底表面上；

对准半导体装置于所述空腔中且在所述绝缘层上按压所述半导体装置；

在所述绝缘层、所述半导体装置和所述封装衬底上形成包封层；

将第一光照射到所述黏合层上以减小所述黏合层的黏合强度，所述第一光选择性地与所述第一光引发剂反应；

从所述绝缘层去除所述黏合层和所述胶带衬底；以及

将第二光照射到所述绝缘层的一部分上以在所述封装衬底的所述衬底焊点上和所述半导体装置的一部分上形成接触孔，所述第二光的波长较所述第一光的波长短，所述第二光与所述第二光引发剂反应。