[发明专利]制造半导体封装的方法和用于其的载带膜

说明书

本发明涉及一种制造半导体封装的方法以及所使用的载带膜。所述方法可包含在封装衬底中形成空腔以及在载带膜上提供封装衬底和管芯。此处，载带膜可包含胶带衬底和在胶带衬底上的绝缘层，且可将管芯提供于封装衬底的空腔中。所述方法可进一步包含随后形成包封层以覆盖绝缘层和空腔中的管芯以及覆盖绝缘层上的封装衬底，以及从绝缘层去除胶带衬底。

相关申请的交叉参考

本申请主张对在2016年6月13日于韩国知识产权局提交的第10-2016-0073310号韩国专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容在此以引用的方式并入。

技术领域

本发明涉及一种制造封装的方法，且明确地说，涉及一种制造扇出板级封装的方法和所使用的载带膜。

背景技术

随着半导体芯片的集成密度增大，其大小逐渐减小。然而，半导体芯片上的凸块之间的距离是由联合电子装置工程委员会(Joint Electron Device Engineering Council；JEDEC)国际标准给出的固定参数。因此，难以改变在半导体芯片上提供凸块的数目。并且，随着半导体芯片缩小，在处置和测试半导体芯片时的困难增大。此外，如何根据半导体芯片的大小使板多样化也是另一问题。为了解决这些和其它问题，已提议一种扇出板级封装。

发明内容

本发明概念的一些实施例提供一种制造封装而无损坏包封层的方法和待用于其的载带膜。

根据本发明概念的一些实施例，一种制造半导体封装的方法可包含在封装衬底中形成空腔以及在载带膜上提供所述封装衬底和管芯。此处，所述载带膜可包含胶带衬底和在所述胶带衬底上的绝缘层，且可将所述管芯提供于所述封装衬底的所述空腔中。所述方法可进一步包含随后形成包封层以覆盖所述绝缘层和所述空腔中的所述管芯以及覆盖所述绝缘层上的所述封装衬底，以及从所述绝缘层去除所述胶带衬底。

根据本发明概念的一些实施例，一种制造半导体封装的方法可包含在封装衬底中形成空腔，在所述封装衬底上按压载带膜，所述载带膜包含绝缘层、黏合层和胶带衬底，对准半导体装置于所述空腔中且在所述绝缘层上按压管芯，在所述绝缘层、所述半导体装置和所述封装衬底上形成包封层，将第一光照射到所述黏合层上以减小所述黏合层的黏合强度，从所述绝缘层去除所述黏合层和所述胶带衬底，和随后将其波长与所述第一光的波长不同的第二光照射到所述绝缘层的一部分上以在所述封装衬底的一部分上和所述半导体装置的一部分上形成接触孔。

根据本发明概念的一些实施例，一种载带膜可包含胶带衬底、在所述胶带衬底上的黏合层和在所述黏合层上的绝缘层。所述黏合层可包含黏合剂和混合在所述黏合剂中的珠粒。当加热所述黏合层时，所述珠粒可膨胀以将所述黏合剂与所述绝缘层分开。

根据另一实施例，一种形成半导体封装的方法包含：提供在其中包含开口的封装衬底；提供包含相互堆叠且由形成于其间的黏合层相互附着的胶带衬底和绝缘层的载带膜；将所述封装衬底放置于所述绝缘层的第一表面上；将半导体芯片放置于所述开口中的所述绝缘层的所述第一表面上；随后形成包封层以覆盖所述绝缘层和空腔中的所述半导体芯片和覆盖所述绝缘层上的所述封装衬底；和通过将热量或光中的至少一个施加到所述黏合层从所述绝缘层去除所述胶带衬底。

附图说明

图1为说明根据本发明概念的一些实施例的制造封装的方法的流程图。

图2到图19为说明通过图1的方法制造的实例封装的剖视图。

图20和图21为示范性地说明根据一些实施例的减小图7的黏合层的黏合强度的步骤的图。

图22和图23为示范性地说明根据一些实施例的在图1中绘示的提供封装衬底和管芯的步骤的剖视图。

图24和图25为示范性地说明根据一些实施例的在图1中绘示的减小黏合强度的步骤的剖视图。

具体实施方式