[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一半导体管芯层，具有有源表面；

导电接触件，电连接至所述有源表面，所述导电接触件的侧壁由绝缘层围绕；以及

焊料凸块，连接至所述导电接触件，

其中，晶种层位于所述导电接触件的所述侧壁和所述绝缘层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电接触件还包括从所述绝缘层突出并且连接至所述焊料凸块的台状件。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电接触件包括再分布层(RDL)的通孔。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，与所述第一半导体管芯层的无源表面相比，所述焊料凸块更接近所述有源表面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电接触件包括绝缘通孔(TIV)。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，还包括第二半导体管芯层，通过位于所述第一半导体管芯层的无源表面上方的所述焊料凸块电连接至所述导电接触件。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体管芯层包括动态随机存取存储器(DRAM)。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述侧壁包括锥形。

9.一种用于制造半导体封装件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上方形成第一半导体管芯层，包括：

在所述绝缘层中形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中形成导电接触件；和

在所述绝缘层上方放置第一半导体管芯；

将所述载体从所述绝缘层脱粘；以及

通过蚀刻操作从所述绝缘层暴露所述导电接触件。

10.一种用于制造半导体封装件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上方形成第一半导体管芯层，包括：

在所述载体上方形成第一聚合物层；

在所述第一聚合物层中形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中形成导电接触件；和

在所述第一聚合物层上方放置第一半导体管芯；

将所述载体从所述第一聚合物层脱粘；以及

通过蚀刻操作从所述第一聚合物层暴露所述导电接触件。