[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710416694.0 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN107546210A 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 许峰诚;洪瑞斌;郑心圃 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明的实施例涉及半导体封装件及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。半导体器件的制造涉及在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层以及使用光刻和蚀刻工艺图案化各个材料层以在半导体衬底上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度,这允许更多的组件集成至给定的区域。输入和输出(I/O)连接件的数量显着增加。开发利用更小的面积或更小的高度的更小的封装结构来封装半导体器件。例如,为了进一步增加电路密度,已经对三维(3D)IC进行了研究。

已经开发了新的封装技术来改进半导体器件的密度和功能。这些用于半导体器件的新型的封装技术面临着制造挑战。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体封装件,包括:第一半导体管芯层,具有有源表面;导电接触件,电连接至所述有源表面,所述导电接触件的侧壁由绝缘层围绕;以及焊料凸块,连接至所述导电接触件,其中,晶种层位于所述导电接触件的所述侧壁和所述绝缘层之间。

本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体封装件的方法,包括:提供载体;在所述载体上方形成绝缘层;在所述绝缘层上方形成第一半导体管芯层,包括:在所述绝缘层中形成浅沟槽;在所述浅沟槽中形成导电接触件;和在所述绝缘层上方放置第一半导体管芯;将所述载体从所述绝缘层脱粘;以及通过蚀刻操作从所述绝缘层暴露所述导电接触件。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体封装件的方法,包括:提供载体;在所述载体上方形成第一半导体管芯层,包括:在所述载体上方形成第一聚合物层;在所述第一聚合物层中形成浅沟槽;在所述浅沟槽中形成导电接触件;和在所述第一聚合物层上方放置第一半导体管芯;将所述载体从所述第一聚合物层脱粘;以及通过蚀刻操作从所述第一聚合物层暴露所述导电接触件。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体封装件的截面图;

图2示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的局部放大的截面图;

图3示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的局部放大的截面图;

图4示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的局部放大的截面图;

图5示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的截面图;

图6示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的截面图;

图7A至图7H示出了根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装件的方法的顺序的截面图;以及

图8A至图8H示出了根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装件的方法的顺序的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语,以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

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