[发明专利]光掩模及其制作方法

权利要求书

1.一种制造光掩模的方法，其特征在于，包括：

在透光性衬底之上沉积终点层，其中所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的；

在所述终点层之上沉积移相器；

在所述移相器之上沉积不透明层；

在所述不透明层之上沉积硬掩模层；

移除所述硬掩模层的一部分、所述不透明层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分；

移除所述硬掩模层的剩余部分；以及

在移除所述硬掩模层的所述剩余部分后，修复所述移相器的第二部分。

2.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积带隙能量等于或大于6电子伏特的材料。

3.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积平均原子序数大于所述透光性衬底的平均原子序数的材料。

4.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积平均原子序数小于所述透光性衬底的平均原子序数的材料。

5.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

将所述终点层沉积至具有等于或小于100埃的厚度。

6.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，所述移除所述硬掩模层的所述一部分及所述移相器的所述第一部分包括：

监测所述光掩模的背散射电子信号；以及

当有预定背散射电子信号产生时，传送停止信号。

7.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，进一步包括：

以含金属的掺杂剂对所述终点层进行植入。

8.根据权利要求7所述的制造光掩模的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述对所述终点层进行植入后，在范围介于500摄氏度至900摄氏度的温度下对所述终点层进行退火。

9.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，进一步包括：

移除所述不透明层的另一部分，以暴露出所述移相器的第二部分。

10.根据权利要求1所述的制造光掩模的方法，其特征在于，其中修复所述移相器的所述第二部分包括使用含卤素的刻蚀剂。

11.一种制造光掩模版的方法，其特征在于，包括：

在透明衬底之上沉积终点层；

在所述终点层之上沉积移相器，其中所述移相器的灰度图像与所述透明衬底的差异小于所述终点层的灰度图像与所述透明衬底的差异；

在所述移相器之上沉积不透明层；

使用所述不透明层之上的硬掩模将所述不透明层及所述移相器图案化，以暴露出所述终点层的一部分；以及

通过整个方法来维持整个所述终点层。

12.根据权利要求11所述的制造光掩模版的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积平均原子序数大于14的材料。

13.根据权利要求11所述的制造光掩模版的方法，其特征在于，所述沉积所述终点层包括：

沉积氧化铪层。

14.根据权利要求11所述的制造光掩模版的方法，其特征在于，进一步包括：

检测所述光掩模版的复合背散射电子信号，以产生灰度图像。

15.根据权利要求11所述的制造光掩模版的方法，其特征在于，进一步包括：

以氧化铝对所述终点层进行植入。