[发明专利]光掩模及其制作方法

说明书

一种制造光掩模的方法包括：在透光性衬底之上沉积终点层；在所述终点层之上沉积移相器；在所述移相器之上沉积硬掩模层；以及移除所述硬掩模层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分。所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的。

技术领域

本发明实施例是涉及一种光掩模及其制作方法。

背景技术

光刻(Photolithography)用于在半导体组件的制作过程中将图案转移至晶片上。基于各种集成电路(integrated circuit，IC)布局，将光掩模的图案减小为2:1或4:1的因数以将所述图案转移至晶片的表面。光掩模(mask or reticle)是由一侧上沉积有一种或多种不可透光材料以阻挡光渗透的透光性衬底制成。随着尺寸的减小及IC晶片中的密度的增加，已开发出例如相移掩模(phase-shift mask，PSM)、光学邻近修正(opticalproximity correction，OPC)、离轴照明(off-axis illumination，OAI)及双偶极光刻(double dipole lithography，DDL)等分辨率增强技术来提高焦点深度(depth of focus，DOF)及使得能够更精确地将图案转移至晶片上。

发明内容

本发明的实施例的一个方面涉及一种制造光掩模的方法。所述方法包括在透光性衬底之上沉积终点层。所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的；在所述终点层之上沉积移相器；在所述移相器之上沉积硬掩模层；以及移除所述硬掩模层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据一个或多个实施例的光掩模的剖视图。

图2是根据一个或多个实施例的制造光掩模的方法的流程图。

图3A至图3F是根据一个或多个实施例的光掩模在各种制造阶段处的剖视图。

图4A至图4B是根据一个或多个实施例的光掩模在各种制造阶段处的剖视图。

[符号的说明]

100、300、400：光掩模

110、310、410：衬底

120、320、320’、420：终点层

130’、330、330’：移相器

140”、340、340’、340”、440、440’：不透明层

162、360、362：开口

200：方法

210、232、234、236、242、244、246：操作

220、250：可选操作

230、240：过程

325：植入工艺

332：缺陷

350、350’、350”、450：硬掩模层

具体实施方式