[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

至少一逻辑finFET装置，其具有有第一长度的鳍片；以及

至少一存储器finFET装置，其具有有比该第一长度短的第二长度的鳍片，其中，由于该至少一存储器finFET装置具有较短的鳍片长度，从而放松该至少一存储器finFET装置的应变，相较于该至少一逻辑finFET装置的驱动电流，该至少一存储器finFET装置具有较弱的驱动电流，且该较弱的驱动电流增加晶体管伽玛比，

其中，形成交叉耦接接点以桥接该至少一存储器finFET装置与邻近印刷电路。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该至少一逻辑finFET装置和该至少一存储器finFET装置为pFET装置。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中，该至少一逻辑finFET装置和该至少一存储器finFET装置的该鳍片包含硅锗材料。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中，该至少一存储器finFET装置为硅锗上拉装置。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其中，该第二长度为该第一长度的一半。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其中，相较于该至少一逻辑finFET装置，该至少一存储器finFET装置有放松的应变。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其中，该至少一逻辑finFET装置和该至少一存储器finFET装置在相同芯片上。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中，该至少一存储器finFET装置为两个存储器finFET装置，该两个存储器finFET装置由包含该硅锗材料的分割鳍片结构构成。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中，该至少一存储器finFET装置为邻近端子用公共接点电气连接在一起的两个存储器finFET装置。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中，该公共接点为公共Vdd。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其中，该至少一存储器finFET装置为各有独立硅锗鳍片的独立SRAM上拉pFET装置。

12.一种半导体结构，包含：

至少一逻辑finFET装置，其具有一第一驱动电流，其中，该至少一逻辑finFET装置具有由硅锗材料构成且具有第一长度的鳍片；以及

至少一上拉finFET装置，其具有一第二驱动电流，其中，该至少一上拉finFET装置具有由该硅锗材料构成且有比该第一长度短的第二长度的分割鳍片，且由于该至少一上拉finFET装置具有较短的鳍片长度，从而放松该至少一上拉finFET装置的应变，该第二驱动电流相较于该第一驱动电流为弱，且较弱的该第二驱动电流增加晶体管伽玛比，

其中，形成交叉耦接接点以桥接该至少一上拉finFET装置与邻近印刷电路。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该至少一逻辑finFET装置和该至少一上拉finFET装置为形成于相同芯片上的pFET装置。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中，该第二长度为该第一长度的一半，使得有该第二长度的该鳍片的应变比有该第一长度的该鳍片的应变更放松。

15.如权利要求13所述的半导体结构，其中，该至少一上拉finFET装置为两个装置，该两个装置各由单一鳍片构成，该单一鳍片为分割鳍片且端子有公共接点。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中，该公共接点为公共Vdd。