[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部；

在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述鳍部的顶部；

形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面，所述伪栅结构包括栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的栅极层，所述栅极层还覆盖部分所述隔离结构；

去除所述栅极层，露出所述隔离结构；

去除所述栅极层后，在所述隔离结构上形成保护层，所述保护层覆盖所述隔离结构，所述保护层的材料与所述栅氧化层的材料不同；

形成所述保护层后，去除所述栅氧化层；

去除所述栅氧化层后，形成横跨所述鳍部的高k栅介质层，所述高k栅介质层覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮化硼、碳氮化硼或高k栅介质材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为至

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离结构上形成保护层的步骤包括：

在所述栅氧化层表面和所述隔离结构表面形成保护膜；

去除位于所述鳍部侧壁上的栅氧化层表面的保护膜，剩余保护膜作为保护层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护膜后，位于所述隔离结构表面的保护膜厚度大于位于所述鳍部侧壁上的保护膜厚度。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层还位于所述鳍部顶部的栅氧化层表面。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护膜后，位于所述隔离结构表面的保护膜厚度为至位于所述鳍部侧壁上的保护膜厚度为至

8.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护膜的工艺为原子层沉积工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护膜的材料为氮化硅，所述原子层沉积工艺的参数包括：采用的前驱体为含硅和氮的前驱体，工艺温度为80℃至200℃，压强为1mTorr至20Torr，前驱体的气体流量为500sccm至5000sccm，沉积次数为8次至100次。

10.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述鳍部侧壁上的栅氧化层表面的保护膜所采用的工艺为湿法刻蚀工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅氧化层的工艺为热氧化工艺。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上；

栅氧化层，位于所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；

隔离结构，位于所述衬底上，所述隔离结构的顶部低于所述鳍部的顶部；保护层，位于所述隔离结构上，所述保护层覆盖所述隔离结构，所述保护层的材料与所述栅氧化层的材料不同；

高k栅介质层，横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料为氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮化硼、碳氮化硼或高k栅介质材料。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度为至

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

位于所述高k栅介质层和所述鳍部顶部之间的栅氧化层；

所述保护层还位于所述高k栅介质层和所述栅氧化层之间。