[发明专利]铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201710418690.6 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107293493A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/08;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,王浩 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟镓锌 氧化物 薄膜晶体管 制作方法 | ||
1.铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：
步骤S101：将缓冲层、有源层、栅电极层和栅极绝缘层依次构造在基板上并做图形化处理；
步骤S102：通过溅射的方式在处理后的所述缓冲层、有源层、所述栅电极层和所述栅极绝缘层上沉积透明绝缘金属氧化物层，将所述透明绝缘金属氧化物层进行退火处理，使薄膜晶体管电性得到改善；
步骤S103：在所述透明绝缘金属氧化物层上沉积一层介电层，并利用黄光和干蚀刻工艺将所述介电层和所述透明绝缘金属氧化物层做图形化处理；
步骤S104：将源漏极电极沉积在所述介电层上并图形化处理。
2.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
在步骤S102中，所述退火处理中所述透明绝缘金属氧化物层向所述有源层表面扩散，用于增加所述有源层表面载流子的浓度，使所述源漏极电极区域导体化，在后续的退火过程中也不会复原，所述透明绝缘金属氧化物层用于起到阻挡层的作用，防止水和氧对所述主动层的影响，使所述薄膜晶体管电性得到改善。
3.根据权利要求2所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
所述透明绝缘金属氧化物层的厚度为8nm-12nm。
4.根据权利要求3所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
所述透明绝缘金属氧化物层的厚度为10nm。
5.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
在步骤S102中，所述退火处理温度为280-320℃。
6.根据权利要求5所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
所述退火处理温度为300℃。
7.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
在步骤S102中，对所述透明绝缘金属氧化物层再次退火处理。
8.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
所述透明绝缘金属氧化物层由氧化铝制成。
9.根据权利要求1所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
还包括在所述介电层上构造钝化层和平坦绝缘有机层并做图形化处理。
10.根据权利要求9所述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：
铟锡氧化物电极制作和像素定义层构造在所述钝化层和所述平坦绝缘有机层上并做图形化处理；
有机发光器件构造在所述铟锡氧化物电极上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
