[发明专利]铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201710418690.6 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107293493A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/08;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,王浩 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟镓锌 氧化物 薄膜晶体管 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法。
背景技术
铟镓锌氧化物半导体由于电子迁移率高，漏电流低，制备温度低的特点，引起了广泛的关注。传统的顶栅自对准结构在完成层、栅电极层和栅极绝缘层的图形化后，会采用等离子体(Ar、He、N2等plasma)对源漏极接触的区域进行导体化处理来达到减小接触阻抗的目的，但是在后续的退火时，源漏极接触的区域的阻抗会渐渐恢复变大，影响载流子的传输，最终影响薄膜晶体管的电性。
发明内容
针对上述问题中存在的不足之处，本发明提供铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法。
为实现上述目的，本发明提供铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，该方法包括：
将缓冲层、有源层、栅电极层和栅极绝缘层依次构造在基板上并做图形化处理；
通过溅射的方式在处理后的所述缓冲层、有源层、所述栅电极层和所述栅极绝缘层上沉积透明绝缘金属氧化物层，将所述透明绝缘金属氧化物层进行退火处理，使薄膜晶体管电性得到改善；
在所述透明绝缘金属氧化物层上沉积一层介电层，并利用黄光和干蚀刻工艺将所述介电层和所述透明绝缘金属氧化物层做图形化处理；
将源漏极电极沉积在所述介电层上并图形化处理；
钝化层和平坦绝缘有机层构造在所述介电层上并做图形化处理；
铟锡氧化物电极制作和像素定义层构造在所述钝化层和所述平坦绝缘有机层上并做图形化处理
有机发光器件构造在所述铟锡氧化物电极上。
上述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，
所述退火处理中所述透明绝缘金属氧化物层向所述有源层表面扩散，用于增加所述有源层表面载流子的浓度，使所述源漏极电极区域导体化，在后续的退火过程中也不会复原，所述透明绝缘金属氧化物层用于起到阻挡层的作用，防止水和氧对所述主动层的影响，使所述薄膜晶体管电性得到改善。
上述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，
所述透明绝缘金属氧化物层的厚度为8nm-12nm。
上述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，
所述透明绝缘金属氧化物层的厚度为10nm。
上述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，
所述退火处理温度为280-320℃。
上述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，
所述退火处理温度为300℃。
上述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，
对所述透明绝缘金属氧化物层再次退火处理。
上述的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，
所述透明绝缘金属氧化物层由氧化铝制成。
在上述技术方案中，本发明提供的铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，与现有技术相比，通过溅射的方式沉积一层很薄的透明绝缘金属氧化物层，再进行退火处理，在利用后续的退火处理，将铝向铟镓锌氧化物半导体层表面扩散，同样可以达到源漏极接触区域导体化的结果，而且阻抗不会恢复增大，从而大幅度改善薄膜晶体管的电性。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。
图1为本申请的一个实施例中铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法流程图。
图2为本申请的一个实施例中铟镓锌氧化物薄膜晶体管的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
如图1所示，铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法，该方法包括：
步骤S101：将缓冲层(Buffer)、有源层(IGZO)、栅电极层(Gate electrode)和栅极绝缘层(Gate insulator)依次构造在基板上并做图形化处理。
步骤S102：通过溅射(sputter)的方式在处理后的缓冲层、有源层、栅电极层和栅极绝缘层上沉积透明绝缘金属氧化物层(Al2O3)，将透明绝缘金属氧化物层进行退火(Anneal)处理，使薄膜晶体管电性得到改善。
步骤S103：在透明绝缘金属氧化物层上沉积一层介电层(inter layer dielectric：SiOx)，并利用黄光(photo)和干蚀刻工艺(dry etch)将介电层和透明绝缘金属氧化物层做图形化处理。
步骤S104：将源漏极(Mo/Al/M0)电极沉积在介电层上并图形化处理；
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