[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底；

对所述硅衬底进行扩散处理，形成PN结；

抽空所述硅衬底所在炉管内的气体，并通入氨气进行预通气，预通气过程的工艺参数为：温度400℃-600℃，包括端点值；氨气流量为5000-9000sccm，包括端点值；压力为1500mTor-3500mTor，包括端点值；预通气时间的取值范围为10s-30s，包括端点值；

利用氨气对形成PN结的硅衬底进行等离子体处理；

在经过等离子体处理后的硅衬底上表面和下表面分别形成正面电极和背电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述硅衬底进行扩散处理，形成PN结包括：

利用第一掺杂类型粒子对所述硅衬底进行掺杂，获得第一掺杂类型硅衬底；

利用第二掺杂类型粒子对所述第一掺杂类型硅衬底进行掺杂，形成PN结；

对形成PN结的硅衬底四周进行刻蚀，去除位于所述硅衬底四周表面的第二掺杂类型膜层，使所述形成PN结的硅衬底上表面与下表面绝缘；

所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不同。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对形成PN结的硅衬底四周进行刻蚀，去除位于所述硅衬底四周表面的第二掺杂类型膜层，使所述形成PN结的硅衬底上表面与下表面绝缘之后，利用氨气对形成PN结的硅衬底进行等离子体处理之前还包括：

在所述硅衬底第二掺杂类型膜层表面形成抗反射层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述硅衬底第二掺杂类型膜层表面形成抗反射层包括：

利用等离子体增强化学气相沉积法在所述硅衬底第二掺杂类型膜层表面衬底氮化硅膜层，形成所述抗反射层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用氨气对形成PN结的硅衬底进行等离子体处理的时间的取值范围为0.5min-60min，包括端点值。

6.一种太阳能电池，其特征在于，应用权利要求1-5任一项所述的太阳能电池的制备方法制备，所述太阳能电池包括：

硅衬底，所述硅衬底包括第一掺杂类型层和第二掺杂类型层，所述第一掺杂类型层和第二掺杂类型层形成PN结；

位于所述第二掺杂类型层表面的正面电极；

位于所述第一掺杂类型层表面的背电极。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：

位于所述第二掺杂类型层与所述正面电极之间的抗反射层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述抗反射层为氮化硅层。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面电极包括：

位于所述第二掺杂类型层表面沿第一方向排布的多个细栅；

位于所述第二掺杂类型层表面沿第二方向排布的多个主栅；

所述第一方向与所述第二方向垂直。