[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

说明书

本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法，其中，所述太阳能电池的制备方法利用等离子体处理氨气的方式对硅衬底进行氢钝化，氨气在等离子体处理过程中产生的氢离子与所述太阳能电池的硅衬底中的缺陷或杂质反映，起到钝化的效果，从而提升了太阳能电池的光电转换效率；并且氨气非易燃易爆气体，避免了氢钝化过程总易燃易爆气体参与而造成危险的可能。

技术领域

本申请涉及新能源技术领域，更具体地说，涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术

随着社会的不断发展，资源紧缺问题愈加凸显，新能源的利用迫在眉睫。太阳能作为可再生的清洁能源，受到广泛的关注，太阳能电池应运而生。

主流的太阳能电池一般为硅基太阳能电池，由于制备硅基太阳能电池的硅材料中不可避免的含有大量的杂质和缺陷，导致硅材料中少子寿命及扩散长度大大降低，从而影响太阳能电池的转换效率。为了降低硅材料中的杂质和缺陷数量以提升太阳能电池的光电转换效率，氢钝化技术广泛应用于太阳能电池的制备过程中。

现有技术中的氢钝化技术通常是在形成太阳能电池的正面电极和背电极之前将硅基置于450℃左右的氮气和氢气的混合气体中进行一定时间的退火，以使氢离子与硅基中的缺陷或杂质进行反应，起到钝化的效果，从而提升太阳电池的转换效率，但是由于氢气的易燃易爆，现有技术中对太阳能电池的氢钝化过程存在一定的危险性。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，以实现避免太阳能电池氢钝化过程中易燃易爆气体的参与而造成危险的目的。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种太阳能电池的制备方法，包括：

提供硅衬底；

对所述硅衬底进行扩散处理，形成PN结；

利用氨气对形成PN结的硅衬底进行等离子体处理；

在经过等离子体处理后的硅衬底上表面和下表面分别形成正面电极和背电极。

可选的，所述对所述硅衬底进行扩散处理，形成PN结包括：

利用第一掺杂类型粒子对所述硅衬底进行掺杂，获得第一掺杂类型硅衬底；

利用第二掺杂类型粒子对所述第一掺杂类型硅衬底进行掺杂，形成PN结；

对形成PN结的硅衬底四周进行刻蚀，去除位于所述硅衬底四周表面的第二掺杂类型膜层，使所述形成PN结的硅衬底上表面与下表面绝缘；

所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不同。

可选的，所述对形成PN结的硅衬底四周进行刻蚀，去除位于所述硅衬底四周表面的第二掺杂类型膜层，使所述形成PN结的硅衬底上表面与下表面绝缘之后，利用氨气对形成PN结的硅衬底进行等离子体处理之前还包括：

在所述硅衬底第二掺杂类型膜层表面形成抗反射层。

可选的，所述在所述硅衬底第二掺杂类型膜层表面形成抗反射层包括：

利用等离子体增强化学气相沉积法在所述硅衬底第二掺杂类型膜层表面衬底氮化硅膜层，形成所述抗反射层。

可选的，所述利用氨气对形成PN结的硅衬底进行等离子体处理的时间的取值范围为0.5min-60min，包括端点值。

一种太阳能电池，应用上述任一项所述的太阳能电池的制备方法制备，所述太阳能电池包括：

硅衬底，所述硅衬底包括第一掺杂类型层和第二掺杂类型层，所述第一掺杂类型层和第二掺杂类型层形成PN结；

位于所述第二掺杂类型层表面的正面电极；