[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成自一基板凸起的一第一半导体鳍状物；

形成一栅极堆叠于该第一半导体鳍状物上，其中形成该栅极堆叠的步骤包括：

沉积一栅极介电层于该第一半导体鳍状物上；

沉积一盖层于该栅极介电层上；

回蚀刻该盖层，使得该盖层的上表面低于该栅极介电层的上表面；

沉积一第一籽晶层于该盖层上，其中该第一籽晶层具有一非晶结构；

沉积一第二籽晶层于该第一籽晶层上，其中该第二籽晶层具有一结晶结构；以及

沉积一导电层于该第二籽晶层上，其中该第一籽晶层、该第二籽晶层、与该导电层包含相同的导电材料；以及

形成与该栅极堆叠相邻的源极与漏极区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该导电材料为钨。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该盖层的保留部分其边缘低于该栅极介电层的该上表面。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中形成该栅极堆叠的步骤包括：

沉积一功函数层于该盖层及该栅极介电层上；以及

沉积一阻挡层于该功函数层上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中沉积该第一籽晶层的步骤采用一第一沉积工艺，沉积该第二籽晶层的步骤采用一第二沉积工艺，且该第一沉积工艺与该第二沉积工艺不同。

6.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一虚置栅极堆叠于一半导体区上；

形成一栅极间隔物于该虚置栅极堆叠的侧壁上；

移除该虚置栅极堆叠以形成一开口；

形成延伸至该开口中的一栅极介电层；

形成一盖层于该栅极介电层上；

回蚀刻该盖层，使得该盖层的上表面低于该栅极介电层的上表面；

形成一籽晶层于该盖层上，其中形成该籽晶层的步骤包括：

采用一第一沉积工艺沉积一第一籽晶子层，其中该第一沉积工艺沉积一非晶材料；以及

采用一第二沉积工艺沉积一第二籽晶子层于该第一籽晶子层上，其中该第二沉积工艺沉积一结晶材料；以及

将导电材料填入其余开口。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中沉积该第一籽晶子层的该第一沉积工艺采用WF₆作为前驱物材料。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中沉积该第二籽晶子层的该第二沉积工艺采用WCl₅作为前驱物材料。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中形成该籽晶层的步骤还包括以一第三沉积工艺沉积一第三籽晶子层于该第二籽晶子层上。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中该第一沉积工艺包含化学气相沉积。

11.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一半导体鳍状物于一基板上，且该半导体鳍状物包括一沟道区；

形成一栅极堆叠于该沟道区上，其中形成该栅极堆叠的步骤包括：

形成一介电材料于该沟道区上；

形成一盖层于该介电材料上；

回蚀刻该盖层，使得该盖层的上表面低于该介电材料的上表面；

形成一籽晶层于该盖层上，其中形成该籽晶层的步骤包括形成多个子层，其中至少一子层为结晶态，且至少一子层为非晶态，其中该结晶态的子层位于该非晶态的子层上；以及

形成一导电材料于该籽晶层上；以及

形成与该沟道区之两侧相邻的源极/漏极区。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，还包括形成该栅极堆叠于该半导体鳍状物的侧壁与上表面上。