[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710422448.6 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108231585B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王喻生;洪奇成;李家庆;吴仲强;苏庆煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
半导体装置的形成方法包括：形成自基板凸起的第一半导体鳍状物，以及形成栅极堆叠于第一半导体鳍状物上。形成栅极堆叠的步骤包括：沉积栅极介电层于第一半导体鳍状物上，沉积第一籽晶层于栅极介电层上，沉积第二籽晶层于第一籽晶层上，其中第二籽晶层的结构与第一籽晶层的结构不同，以及沉积导电层于第二籽晶层上，其中第一籽晶层、第二籽晶层、与导电层包含相同的导电材料。方法亦包括形成与栅极堆叠相邻的源极与漏极区。
技术领域
本公开实施例涉及半导体装置，更特别涉及籽晶层与其形成方法。
背景技术
半导体装置已用于大量的电子装置中，比如电脑、手机、与其他装置。半导体装置包含形成于半导体晶片上的集成电路，其形成方法为沉积许多种类材料的薄膜于半导体晶片上，并图案化这些材料的薄膜以形成集成电路。集成电路包含场效晶体管如金属氧化物半导体晶体管。
半导体产业的目标为持续缩小个别场效晶体管的尺寸，并持续增加个别场效晶体管的速度。为达上述目标，已研究与实施鳍状场效晶体管或多栅极晶体管。然而鳍状场效晶体管其新颖的装置结构与持续缩小的尺寸面临新的挑战。
发明内容
本公开一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成自基板凸起的第一半导体鳍状物；形成栅极堆叠于第一半导体鳍状物上，其中形成栅极堆叠的步骤包括：沉积栅极介电层于第一半导体鳍状物上；沉积第一籽晶层于栅极介电层上；沉积第二籽晶层于第一籽晶层上，其中第二籽晶层的结构与第一籽晶层的结构不同；以及沉积导电层于第二籽晶层上，其中第一籽晶层、第二籽晶层、与导电层包含相同的导电材料；以及形成与栅极堆叠相邻的源极与漏极区。
附图说明
图1至图18是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管的中间阶段的剖视图与透视图。
附图标记说明：
A-A 线段
20 基板
20B 下表面
22 浅沟槽隔离区
22A、24A 上表面
24 半导体带
24' 凸起的鳍状物
30 虚置栅极堆叠
32 虚置栅极介电物
34虚置栅极
36、82 硬掩模层
38 栅极间隔物
40 凹陷
42 外延区
42A 较下部分
42B 较上部分
46、84 层间介电物
46A 部分
47 开口
48 源极/漏极硅化物区
50、86 接点插塞
54 界面层
56 高介电常数介电层
58 栅极介电物
62 盖层
64 牺牲层
66 功函数层
67 回蚀刻
68 阻挡层
70 籽晶层
72 第一子层
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
