[发明专利]一种冗余金属的填充方法及系统

说明书

本发明实施例公开了一种冗余金属的填充方法及系统，在版图中确定出封闭多边形的待填充区域之后，以待填充区域的各条边为界，将基本填充单元相接排布待填充区域中，完成待填充区域的填充，而后，进行网格密度分析，将网格密度过大的网格进行基本填充单元的调整，以防止过填充。该方法以待填充区域的各条边为界限，进行满填充，不会出现漏填区域，并进行网格密度的分析，避免过填充的出现，提高冗余金属填充的有效性和效率，进而提升产品良率。

技术领域

本发明涉及集成电路的可制造性设计领域，尤其涉及一种冗余金属的填充方法及系统。

背景技术

在大规模集成电路制造工艺中，CMP(化学机械平坦化)是一种化学和机械作用相结合的平坦化过程，是芯片表面全局平坦化的主要手段。

在CMP工艺中，存在两种主要的缺陷：金属碟形(dishing)和氧化层侵蚀(erosion)，金属蝶形的缺陷在45nm以下节点工艺中尤其突出，直接影响到器件的性能和芯片的良率。目前，主要是通过冗余金属填充技术(dummy fill)来解决金属蝶形的缺陷，该技术是通过在可能产生缺陷的地方填充冗余金属，使得版图密度均匀化，从而减少缺陷的产生。

目前，冗余金属的填充主要是基于网格密度的分析来确定待填充区域，而在网格内部，填充的位置具有随机性，这样，会导致漏填区域的出现，进而导致CMP缺陷区域的产生，降低了冗余金属填充的有效性和效率，严重时甚至会引起芯片流片失败或产品良率下降等问题。

发明内容

本发明提供了一种冗余金属的填充方法及系统，提高冗余金属填充的有效性和效率。

本发明提供一种冗余金属的填充方法，包括：

在版图中确定待填充区域，所述待填充区域为封闭的多边形；

以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，以获得填充后的版图，所述基本填充单元包括冗余填充区域和所述冗余填充区域外的间隔区域；

对所述填充后的版图进行网格划分，并获得各网格的网格密度；

获得网格密度超过预设阈值的过填充网格，并分别对所述过填充网格进行基本填充单元的调整，以使得所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

可选地，所述在版图中确定待填充区域，包括：

获得冗余填充的临界间距尺寸d；

将版图内的图形的边界外扩d/2，获得外扩区域；

将所述版图的外边界布尔运算减去外扩区域，获得待填充区域。

可选地，所述临界间距尺寸d的确定方法包括：

设计测试版图，所述测试版图被划分为网格矩阵，网格内的特征参数在行、列方向上变化，所述特征参数包括线宽和间距；

对所述测试版图进行CMP模拟，从模拟结果中确定出产生缺陷的临界间距尺寸d。

可选地，以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，包括：

以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，第一方向为所述版图的一个水平方向或一个垂直方向。

可选地，以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，包括：

S201，从所述待填充区域中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，并以所述填充起始边的一个端点作为起始点；