[发明专利]实时时钟校准方法及装置、存储介质、电子设备

权利要求书

1.一种实时时钟校准方法，其特征在于，包括：

获取当前温度值；

从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差；

根据所述当前温度值对应的频率偏差，对所述实时时钟进行校准；其中：

所述预设的频率偏差与温度值的映射关系包括：样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线，所述样本第一二次曲线和所述样本第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，将温度值不小于所述第一温度值对应的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线；

所述预设的频率偏差与温度值的映射关系还包括：待测试晶体的第一二次曲线和待测试晶体的第二二次曲线；所述待测试晶体的第一二次曲线和所述待测试晶体的第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，所述样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不大于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数及对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第一二次曲线的开口系数；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不小于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数以及对称轴的算术平均数；将所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数与所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数相减，得到的差值作为预设值；在第二温度值下，计算待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差；将所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数；根据第二温度值下所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算所述待测试晶体的第二二次曲线的对称轴；将所述待测试晶体对应的第二二次曲线的对称轴与所述预设值相加，得到的和值作为所述待测试晶体对应的第一二次曲线的对称轴；所述第二温度值大于所述第一温度值。

2.如权利要求1所述的实时时钟校准方法，其特征在于，所述将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，包括：

计算在所有不大于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不大于所述第一温度值的每一温度值对应的第一算术平均数；

根据所述所有不大于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第一算术平均数，拟合出所述样本第一二次曲线。

3.如权利要求1所述的实时时钟校准方法，其特征在于，所述将温度值不小于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线，包括：

计算在所有不小于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不小于所述第一温度值的每一温度值对应的第二算术平均数；

根据所述所有不小于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第二算术平均数，拟合出所述样本第二二次曲线。

4.如权利要求1所述的实时时钟校准方法，其特征在于，所述第一温度值为23℃，所述第二温度值为70℃。