[发明专利]一种消除衬偏效应的深亚微米CMOS自举开关

权利要求书

1.一种消除衬偏效应的深亚微米CMOS自举开关，其特征在于：包括NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N3～N7、PMOS晶体管P2～P4、电容C2和公共节点；所述NMOS晶体管N1的源极作为自举开关的输入端，漏极作为自举开关的输出端，输出端接对地电容C1；所述NMOS晶体管N1的栅极分别与PMOS晶体管P2的栅极、NMOS晶体管N3的漏极、PMOS晶体管P4的漏极、NMOS晶体管N6的栅极、NMOS晶体管N7的栅极连接，NMOS晶体管N1的源极与NMOS晶体管N7的漏极连接；NMOS晶体管N7的源极与NMOS晶体管N6的源极连接，且经公共节点分别与NMOS晶体管N4的漏极、NMOS晶体管N5的源极、电容C2的下极板、NMOS晶体管N1的衬底连接；所述NMOS晶体管N6的漏极分别与PMOS晶体管P4的栅极、NMOS晶体管N5的漏极、PMOS晶体管P3的漏极连接；所述PMOS晶体管P2的漏极分别与电容C2的上极板、PMOS晶体管P4的源极连接；PMOS晶体管P2的衬底与漏极连接，源极接电源VCC；PMOS晶体管P3的源极接电源VCC；PMOS晶体管P4的衬底与源极连接；所述NMOS晶体管N4的源极、NMOS晶体管N3的源极分别接地，NMOS晶体管N4的栅极与NMOS晶体管N3的栅极连接并同时接时钟信号CLKN；PMOS晶体管P3的栅极与PMOS晶体管N5的栅极连接并同时接时钟信号CLK，所述时钟信号CLK与时钟信号CLKN互为相反的时钟信号。

2.根据权利要求1所述的一种消除衬偏效应的深亚微米CMOS自举开关，其特征在于：还包括NMOS晶体管N2和PMOS晶体管P1；所述NMOS晶体管N2的漏极与PMOS晶体管P2的栅极连接，NMOS晶体管N2的源极分别与PMOS管P1的漏极、NMOS晶体管N3的漏极连接；所述PMOS管P1的栅极与NMOS晶体管N3的栅极连接，PMOS晶体管P1的源极与NMOS管N2的栅极接电源VCC。

3.根据权利要求2所述的一种消除衬偏效应的深亚微米CMOS自举开关，其特征在于：还包括第一buffer电路和第二buffer电路；所述第一buffer电路的输入为自举开关的输入端，第一buffer的输出端与NMOS晶体管N1的源极连接，所述第二buffer电路的输出端为自举开关的输出端，第二buffer电路的输入端与NMOS晶体管N1的漏极连接。