[发明专利]一种能避免超薄芯片碎裂的吸取方法在审
申请号: | 201710426492.4 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107369642A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 周木火 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人: | 朱斌兵 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 超薄 芯片 碎裂 吸取 方法 | ||
技术领域
本发明属于半导体芯片封装领域,尤其涉及一种能避免超薄芯片碎裂的吸取方法。
背景技术
在半导体芯片封装过程中,需要将裸芯片从粘膜上拾取后放置到基材上,以便完成后续的芯片整体封装。目前芯片拾取方式使用顶针式顶针座和普通橡胶吸嘴,但是在长时间的使用后发现,使用顶针和普通吸嘴作业超薄芯片时存在以下的不足:(1)由于顶针是组合式排列,顶针平面会有不平,导致部分点突出,造成芯片局部受力;(2)顶针排列由于设计缺陷,顶针在排列时顶针之间有一定的间隙,不能提供芯片完全的支撑;(3)顶针作业时芯片和粘膜紧密结合,不容易脱离;(4)普通橡胶吸嘴只在中间有真空凹槽,吸取超薄芯片时造成芯片的变形,从而没有一种能够避免超薄芯片在拾取时碎裂的方法,给实际的生产带来了诸多不便。
发明内容
本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种超薄芯片在拾取时不会碎裂的能避免超薄芯片碎裂的吸取方法。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种能避免超薄芯片碎裂的吸取方法,包括如下步骤:
第一步:将带有粘膜的芯片放置到吸取平台上,利用吸取平台上的真空孔将粘膜下端吸附,同时芯片上端利用平面吸嘴吸附;
第二步:三段式顶针平台内的升降杆开启,通过上底座带动第一顶针平台、第二顶针平台和第三顶针平台同时往上移动,第一顶针平台将芯片顶起,使得位于第一顶针平台四周的粘膜和芯片进行分离;
第三步:三段式顶针平台内的第一顶杆往上移动,第一顶杆驱动第二顶针平台和第三顶针平台同时往上移动,第二顶针平台将芯片顶起,使得位于第二顶针平台四周的粘膜和芯片进行分离;
第四步:三段式顶针平台内的第二顶杆往上移动,第二顶杆驱动第三顶针平台往上移动,第三顶针平台将芯片顶起,使得位于第三顶针平台上方的粘膜和芯片分离;
第五步:利用平面吸嘴将芯片从粘膜上拾取并放置到支架上。由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
本发明方案使用三段式平台顶针座及平面吸嘴相配合对超薄芯片进行吸取,多段式平台顶针分三段将粘膜上的芯片顶起,在分段将芯片顶起的过程中,使芯片和粘膜逐渐脱离,可有效减少粘膜对芯片的粘性,并且顶针平台可提供有效的平面支撑,同时,吸嘴下表面呈平面状,避免芯片局部受力或受力不均造成芯片碎裂。
附图说明
附图1为本发明在芯片拾取时的流程结构示意图;
附图2为本发明的结构示意图;
附图3为吸嘴的平面结构示意图;
附图4为三段式顶针平台的俯视图;
附图5为略去第一顶针平台、第二顶针平台和第三顶针平台后三段式顶针平台的结构示意图;
其中:1、吸嘴组件;2、三段式顶针平台;10、吸嘴固定座;11、吸嘴;12、吸附孔;20、吸取平台;21、下底座;22、上底座;23、升降杆;24、固定杆;25、第一顶针平台;26、第二顶杆;27、第二顶针平台;28、第三顶杆;29、固定板;30、第三顶针平台;200、真空孔;212、弹簧。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造