[发明专利]存储器器件

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；

多个垂直孔，沿与所述衬底的上表面垂直的方向延伸以穿过所述栅极结构；以及

分别在所述多个垂直孔中的多个垂直结构，所述多个垂直结构中每一个垂直结构包括嵌入式绝缘层以及彼此分离的多个沟道层，所述多个沟道层位于所述嵌入式绝缘层的外部，

其中，在平面视图中，由从垂直孔的中心延伸到该垂直孔的两个相邻沟道层的最外侧边的中点的两个线所成的角度不是180度。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：

所述多个垂直孔中的每一个包括中心部分中的第一区域以及沿多个方向从所述第一区域突出的多个第二区域，以及

所述嵌入式绝缘层在所述第一区域中，并且所述多个沟道层分别在所述多个第二区域中。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述多个第二区域相对于所述第一区域彼此对称。

4.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述多个第二区域设置为至少三个区域。

5.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述多个沟道层中的相邻沟道层通过所述多个第二区域之间的凹入部分彼此分离。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中：

所述多个垂直结构中的每一个还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括分别在所述多个沟道层外部的多个层，以及

所述凹入部分合并了所述栅极绝缘层的所述多个层的部分。

7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述多个垂直孔的至少一部分包括同一垂直孔内沿不同方向突出的多个区域。

8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述多个垂直结构中的每一个还包括所述多个沟道层外部的栅极绝缘层。

9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中所述栅极绝缘层包括顺序地设置在所述多个沟道层外部的隧穿层和电荷存储层，并且所述电荷存储层被划分为多个区域。

10.一种存储器器件，包括：

栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；

所述栅极结构的上表面上的层间绝缘层；

穿过所述层间绝缘层和所述栅极结构的多个垂直结构，所述多个垂直结构中的每一个包括嵌入式绝缘层和所述嵌入式绝缘层外部的多个沟道层，所述多个沟道层包括至少三个沟道层；

多个柱头，分别连接至所述多个垂直结构之一中设置的多个沟道层；以及

多个位线，所述多个位线中的至少一个位线连接至所述多个柱头中的至少一个。

11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中所述多个垂直结构从所述衬底的上表面延伸至所述层间绝缘层的上表面。

12.根据权利要求10所述的存储器器件，其中所述分别直接连接至所述多个垂直结构之一中设置的多个沟道层的多个柱头与所述多个位线中的不同位线相连。

13.根据权利要求12所述的存储器器件，还包括：隔离绝缘层，穿过所述层间绝缘层和所述多个栅电极层中的至少最上层栅电极层，以限定存储器器件的不同部分，所述多个垂直结构在所限定的不同部分中穿过所述层间绝缘层。

14.根据权利要求13所述的存储器器件，其中所限定的不同部分中的每一个的多个沟道层通过所述多个柱头与不同的位线相连。

15.根据权利要求10所述的存储器器件，其中所述多个垂直结构中的同一垂直结构内的多个沟道层分别限定了不同的存储器单元。